金属氢

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金属氢范文第1篇

1、焊接材料未烘干，在施焊过程水蒸气分解产生的氢；

2、母材施焊前没有经过火焰烘烤，或者焊缝里面的浮锈没有去除，会携带结晶水。水分子分解，就会产生氢；

3、进行二氧化碳气体保护焊时，假如二氧化碳纯度不高，携带的水分含量超标，也会导致焊缝中产生氢。

（来源：文章屋网 ）

金属氢范文第2篇

关 键 词 轻烃；芳构化；反应床

中图分类号：TQ203 文献标识码：A 文章编号：1671—7597（2013）021-059-02

轻质芳烃（苯、甲苯、二甲苯）是当今化石油化工业最基础的原料之一，伴随着人造橡胶、人造纤维、人造树脂这三大合成材料的飞速发展和国民经济对其余精细化学品需求的持续增长，轻质芳烃的需求也随之加大。轻烃芳构化技术是近几十年来起步的一项全新的石油加工工艺，主要特征是运用变性的沸石分子筛催化剂将小分子的芳烃类间接转化为苯、甲苯及二甲苯等轻质芳烃。后工业时代的来临，作为基本化学工业原料和高辛烷值汽油组成部分的轻质芳烃的需求量持续加大的同时，天然石油储备却日渐紧缺，因此，立足与原有的石油资源，采用芳构化工艺过程来扩展产出芳烃的原材料资源、提高芳烃产量等方面具有重大的现实意义。

1 基本趋势

芳烃是总产量和生产规模落后于乙烯和丙烯处于第三位的重要有机化工产品。同种的衍生合成物大量投入在化纤生产、树脂和人工橡胶一系列轻工业产品和精细化学产品。初期芳烃生产通过煤炭的焦化过程得到的焦油作为原材料。随着现代炼油工艺与石化工业的进步，芳烃生产开始倾向于通过催化反应油和裂解天然气为基本原料，今年来以原油为材料生产的芳烃国外约占95%左右，我国约占85%左右。当前，石油芳烃的大批量工业生产主要通过现代化的芳烃合并装置来完成。常规过程是芳烃联合设备催化重整、裂解状态汽油添加氢元素、芳烃置换、芳烃提纯分离等过程。

轻烃的概念是以C5为主要原料的烷烃与单烯烃螯合物，本质上石油开采和炼油工艺中的副产品。其与天然气、汽油、液化气一起同属石油家族，常温常压下呈液态。轻烃的基本来源有各油田、采油厂提纯的C4-C8的混合性轻质（尚无统一名称）。副产品方面，生产的副产品成为塔头油。天然气田，油田开发中的凝结油，主要成分是多碳烷烃（4%），通常不含烯烃。炼油厂方面，原油常压下提取的轻油，石油二次加工中主要过程催化重整，加氢裂解化的产物中均含有大量的C4及C8以下烷烃成分。石油化工厂轻烃，近几十年来，可供开发的石油资源的日益枯竭，相比之下丰富而廉价的轻烃，转化成为高附加值的苯、甲苯和BTX的工艺己当今十分重要的研究方向。轻烃芳构化是近几十年来迅速发展的一种全新的生产芳烃的工艺，用于生产芳烃和高辛烷油的混合组分。该工艺是运用沸石分了作为催化剂的活性部分。

2 轻烃芳构化的主要工艺技术

2.1 ZSM-5大分子筛的成功构建

最初在20世纪40年代，美国就开始对轻烃芳构化工艺进行了研究与探索。在1970年，科学家完成了把轻烃在多功效催化剂上的反应，称为即脱氢齐聚环化，结论认为产物是通过一系列脱氢环一聚反应而得到的。这些反应是在存在与运用多功能催化剂时进行的。多功能催化剂的意义是有弱酸和脱氢基功能。但是整个反应过程需要持续高温（540℃），目前产生出产的甲烷和乙烷，出现到效率的焦化，缩短了催化反应的时间，当前芳烃选择性较低，事实表明此工艺的效益低。

1970年科学家首先提出完成了烷烃脱氢环化后聚合生成芳烃反应过程，其中采用Al2O3的负载过程的Pt、Pd催化特性，在55℃反应温度下，烷烃可转化为芳烃，鉴于反应温度高，反应过程中裂解生成大量的甲烷和丙烷，导致芳烃的选择性较差，同时Pd、Pt为贵重金属，造成该过程的经济性价比低。因此，对上述的烷烃用脱氢环化聚合生成芳烃过程的研究前景比较暗淡，价值不高。

ZSM-5大分子筛的成功构建后，由于其具备的独特结构和合理的酸碱性，在催化反应中被广泛而大量的应用，具有典型性的是ZSM-5基础上的轻烃芳构化反应。Cyclar工艺以液化天然气LPG为原料，催化剂为Ga改性后的ZSM-5分子筛，这样运转寿命为3年，采取连续反应的移动床工艺技术，反应容器由四个直立的径向隔热反应器构成，部分失活的催化剂从最底端的反应器皿进入再反应器，再反应后的催化剂再进入第一批的反应器，反应后的物质流入提纯系统。以物质中的C3，C4为材料，依据不同的目的可以采取高压与低压两种操作方式，高压模式主要是增加了反应速率，节省了催化剂和投资消耗，但是高压状态下裂化过度，降低了芳烃产率；相反的降低压力的方法可以得到更高的芳烃产率，压力范围的具体值还需要进一步研究。用乙烷为原料的情况下，芳烃收产率为60%，芳烃中的苯含量高；而以甲烷为原料时，芳烃收率可以达到66%，芳烃中二甲苯含量较高。1988年在爱尔兰建成了世界首套轻烃芳构化工程示范装置，并且在1990年2月投入生产。不管是高压模式还是低压模式，副产物是丙烷还是丁烷，生成的燃气基本占产物的35%上下，而且燃气的主要成分为乙烷，降低了该工艺的实用性。此外，采用移动床工艺技术，使得投资消耗和操作的风险性增加。

2.2 轻烃芳构化加工高辛烷值汽油

利用法国鲁齐集团的蒸馏汽油生产高价辛烷值汽油技术，建成的工业设备于1996年在波兰投入使用。此技术是利用莫斯科科学院西伯利亚分所催化剂组研发的高活很高的沸石芳构化催化剂，将蒸馏汽油在固定床内催化器上反应为高辛链烷值汽油。次要流程采用2组6台固定床反应器。预热反应热量的蒸馏石脑油流入第一反应器，由于芳构化反应是高热反应，因此从第一个反应器出来的反应物质必须再加热后进入第二台反应器连续反应。最后的反应物经过换热冷却后分离为气态和液态产物。气态产物分解为燃料气和液化天然气；液态产物分解为高辛值汽油和溶解油。第一台反应器内催化剂失活后进行烧焦再反应，反应转化到第二台反应器。在整个工艺过程中，蒸馏石脑油芳构化所得到的产物为：13%的燃料气、24%的液化天气、60%的高辛汽油和2%的溶解油。

3 轻烃芳构化的化工原理

由于完成反应需要很高的催化温度，导致反应出大量的丁烷和丙烷的产生。在500℃以上的催化温度，石脑油在一系列分子筛催化剂上发生芳构化性能，由于HZSM-5具有很高的芳构性能，芳烃产率达到了500lc，而妊光沸石没有芳构化能力，Q分子筛与ZSM-13的芳构化反应很弱。锌的促使使得石脑油在ZSM-5分子筛催化剂上的芳烃收益大幅度增加，元素的加入有利于提升丁烷的芳构化活性。锌或钙的性质变化表现出更强芳构化反应活性，认为金属元素的存在主要起脱氢基作用。只有当锌或钙能够与围观筛上与酸性物质充分反应时才能促使芳构化反应的可选择性，也就是说，酸物质与脱氢物质在芳构化反应中出现协同作用。最新国外的研究表明钙需要通过反溢流原理促使了反应中氧的流失，目的在于促进芳构化反应的完成。

轻质烃类在围观筛上化合成芳烃的反应与主体反应过程密切关联。反应温度和速率对芳构化反应过程作用。首先，寡链碳烷烃具有较强的稳定性，反应温度通常低于350℃，原料的转化率比较低，同时芳烃的收益率也较低，寡链碳烷烃芳构化反应必须在很高的反应温度才能完成。烯烃芳构化需要在较低的温度下进行。在反应温度为200℃上下时，乙烯和丁烯在HSM-5上表现出一定的芳构化活性，随着反应温度的上升的同时芳构化活性升高。

轻烃芳构化过程是一个多方向的反应，不管是用轻质烷烃或者轻质烯烃参加反应，芳烃的产出需要经过分裂、螯合、脱氢多碳化，氢流失和烷烃化、脱烷基等众多现象，伴随反应条件变化，各过程的反应的产物有异同，所以芳构化反应的产物也很多变，对于小分子量的芳构化反应，无论是在HSM-5还是钙/锌的变性分子筛选上，首个反应均生成烯烃，钙的导入促进了脱氢反应，甲烷主要在酸核心上经过裂解反应生成的烯烃通过进一步螯合、分解和脱氢化、氢流失等反应合成芳烃。

轻烃芳构化技术的原材料资源丰富，可以是分解原油，催化裂解的不饱和天然气、催化裂解汽油或及焦化油等，可以支持实现芳烃的增产。当前常规工艺的芳烃产率可达60%左右，大型反应器上可联产氢与天然气。从当今的趋势来分析，加载钙或锌ZSM-5催化剂为研发热点，改良催化剂传质与传递功能，控制芳烃的缩聚反应和烯烃螯合反应的发生应该是该研究的热点。未来催化剂改良的方向为：加氢脱氧金属导入的改良，加快加载组分的扩散与载体的相互反应；载体ZSM-5酸性质的调控与优化；催化剂ZSM-5微粒大小与孔结构的协调。

4 结束语

当今轻烃芳构化催化剂的研究领域热点主要在ZSM-5沸石性质改变上，而对与其余芳构化催化新试剂的研究。添加非贵重金属成分催化剂的研究开发，对芳构化工艺的经济性具有重要意义。降低催化裂解汽油烯烃成分是国际炼油企业面临的重要挑战，因此运用烯烃芳构化技术针对FC汽油加以改良具有重要作用和广阔的开发前景，因此上工业应用此技术还需加大力度。

参考文献

[1]路相宜.中国石油石化，2008，1（1）：40-41.

金属氢范文第3篇

关键词：硅片；清洗；湿法；干法

1 概述

硅片清洗作为制作光伏电池和集成电路的基础，非常重要，清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性[1]。硅片是从硅棒上切割下来的，硅片表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性较高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。其中颗粒杂质会导致硅片的介电强度降低，金属离子会增大光伏电池P-N结的反向漏电流和降低少子的寿命，有机化合物使氧化拥闹柿苛踊、H2O会加剧硅表面的腐蚀[2]。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止[3]。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗工艺极其必要[4]。

2 硅片清洗技术

2.1 清洗技术的分类和原理

常用的硅片清洗技术有湿法清洗和干法清洗。

湿法清洗采用具有较强腐蚀性和氧化性的化学溶剂，如H2SO4、H2O2、DHF、NH3・H2O等溶剂，硅片表面的杂质粒子与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落。为了提高杂质的清除效果，可以利用兆声、加热、真空等技术手段，最后利用超纯水清洗硅片表面，获取满足洁净度要求的硅片。

干法清洗指清洗过程中不采用化学溶剂，例如气相干洗技术、束流清洗技术。气相干洗技术采用气化无水HF与硅片表面的自然氧化层相互作用，可以有效的去除硅片表面的氧化物及氧化层中的金属粒子，并且具有一定的抑制硅片表面氧化膜产生的效果。气相干洗极大缩减了HF的用量而且加快了清洗的效率。

2.2 湿法清洗

2.2.1 RCA清洗

Kern[5]等人于1965年提出了RCA清洗法，清洗流程分为两步： SC-1、SC-2。后由Ohnishi、Akiya等研究者的改进，形成了目前通用的RCA清洗技术-SPM、DHF、SC-1、SC-2。

SPM即体积分数为98%的H2SO4和30%H2O2按照4：1比例配置而成，在120～150℃之间具有极强的氧化性，可以将硅片表面粘附的有机物氧化为H2O和CO2，从而有效去除有机物杂质。但是高浓度的硫酸往往会将有机物碳化，SPM溶液无法除去碳化后的有机物。

DHF即稀HF溶液，HF：H2O为1：100～1：250[6]之间，在20～25℃之间具有较强的腐蚀性，可以有效去除硅片表面的自然氧化层，同时与氧化层中的金属元素（Al、Zn、Fe等）发生氧化还原反应，形成金属离子进而被除去，而且不影响硅片表层的硅原子。

SC-1即NH3・H2O和H2O2和H2O按照1：1：5的比例配置而成，于70℃清洗10min，硅片表面的硅原子薄层被NH3・H2O腐蚀剥落，连带在硅片表面的颗粒状杂质随之脱落进入到清洗液中，从而有效去除颗粒杂质。实验表明，当H2O：H2O2：NH3・H2O为5：1：0.25[7]时，颗粒的去除率最高，但是增加了硅片表层的粗糙度和缺陷。

SC-2即HCl和H2O2和H2O按照1：1：5[8]的比例配置而成，于70℃清洗10min，硅片表面的金属及其化合物产生氧化还原反应，形成金属离子进入到清洗液中，从而有效去除金属杂质。实验表明，当溶液的PH值在3～5.6之间，不仅可以去除金属及其氧化物，而且可以防止金属离子的再次附着[9]。

按照SPM、DHF、SC-1、SC-2顺序的RCA清洗技术基本上满足了大部分硅片洁净度的要求，而且使硅片表面钝化。

TM Pan[10]等人在RCA清洗的SC-1过程中加入了羟化四甲胺（TMAH）和乙二胺四乙酸（EDTA），于80℃环境下清洗硅片3min。

由于羟化四甲胺阳离子与Si结合显示出疏水性，而羟化四甲胺阳离子与杂质粒子吸附显示亲水性，羟化四甲胺阳离子逐渐渗透到Si与杂质粒子之间，携带杂质离开硅片表面融入水中。测量显示硅片表面的颗粒杂质和金属离子基本被除去而且效果优于传统的RCA清洗，同时还提高了硅片的电化学性能。

这种方法省去了SC-2的清洗过程，简化了RCA清洗技术。用该方法清洗硅片，不仅提高了清洗效率、降低成本、节约时间、获得优异的表面洁净度，而且还提高了硅片的电化学性能，适合全面推广。

2.2.2 超声清洗

超声波清洗是利用超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和污物直接和间接的作用，使污物层被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。目前所用的超声波清洗机中，空化作用和直进流作用应用较多。

Y L Liu[11]等人提出采用SQX-3916清洗装置将28KHz的电能转换为机械震荡波，声波传入Q352-B碱性清洗剂、活性剂、去离子水=0.2：1：10的化学清洗液中，在45℃环境下清洗硅片3min，硅片直径10cm，厚度600？滋m。高频声波在化学清洗液中纵向传播，化学清洗液沿声波的传播方向受到的压强疏密相间，在负压区生成气泡，在正压区气泡闭合。气泡在闭合的瞬间会产生101.325MPa的高压，硅片表面相当于承受着接连不断的“爆炸”，“爆炸”使得硅片表面的有机杂质、颗粒杂质、氧化膜脱落，同时碱性清洗剂与金属离子发生络合反应，加快了清洗的效率。

这种方法采用高频声波的机械作用、溶液的空化效应、化学试剂的络合反应，有效除去了硅片表面的有机、颗粒、金属离子杂质。采用类似的方法Bong Kyun[12]等人利用0.83MHz的兆声波清洗硅片，效果更加优异，可去除0.3？滋m以下的颗粒杂质。

2.2.3 双流喷洗

双流雾化喷嘴清洗硅片利用喷嘴随旋转臂来回扫描硅片，硅片顺时针旋转。双流喷嘴采用高压高速喷射的气体冲击低俗流动的液体，破坏了液体的表面张力和液体分子之间的范德瓦尔斯键和氢键，使得液体雾化，成为纳米级的小液滴，在高压空气的作用下通过喷嘴高速喷射而出。

Y Teng[13]等人采用双流雾化喷嘴来清洗硅片，分析了这种方法的清洗效果、清洗对硅品的损伤程度并且与兆声清洗进行对比，肯定了双流雾化喷嘴清洗技术的可行性。实验首先在七星级的洁净硅片上刻制宽度为50nm的栅线，然后利用大小为50nm～100nm的聚苯乙烯乳胶颗粒模拟硅片表面的颗粒污染，接着采用双流雾化喷嘴和兆声对硅片进行清洗，发现双流雾化喷嘴清洗对硅片表面的栅线几乎无损伤，而兆声清洗却对硅片表面的栅线造成了严重损害。双流雾化喷嘴清洗的效果相当好，达到了一般硅片表面洁净度的要求。双流雾化喷嘴清洗在除去硅片表面杂质的同时又不对硅片表面产生破坏，适合65nm精度要求的器件清洗。

2.2.4 臭氧微泡法

JK Yoon[14]等人创造了一种臭氧微泡清洗系统，利用臭氧的高活性和强氧化性来去除硅片表面的有机、颗粒杂质。臭氧溶解在水中生成高活性的OH基，OH基与有机物发生化学反应，除去硅片表面的有机杂质，同时在硅品表面覆盖了一层原子级光滑程度的氧化膜，有效隔离了杂质的再吸附。

臭氧微泡清洗系统包括加载、清洗、漂洗、干燥四步。首先将硅片至于密闭混合舱，注满水或化学药剂，然后臭氧通过喷嘴通入混合腔进行清洗。于38℃环境中，通入浓度为10ppm的臭氧，清洗12min。调节喷嘴的入射角度，使入射气泡与硅片表面呈现19.2°。此法清洗效果优异，基本除去了有机、颗粒杂质，达到了一般硅片洁净度的要求。同时，臭氧微泡清洗产生的污染废料少，清洗效率高，可用于大规模电路、硅片与LED的清洗。

2.3 干法清洗

2.3.1 干冰清洗

当温度超过31.1℃、压强达到7.38MPa时，CO2处于超临界状态，可以实现气态和固态的相互转换。CO2从钢瓶中通过喷嘴骤然喷出，压力下降、体积极速膨胀，发生了CO2的等焓值变化，气液混合的CO2生成固态干冰微粒，从而实现清洗硅片。干冰微粒去除颗粒和有机物杂质的机理不同。去除颗粒杂质时，干冰颗粒与颗粒杂质发生弹性碰撞，产生动量转移，颗粒杂质被粉碎，随高速气流被带走。去除有机物杂质时，干冰颗粒与有机物发生非弹性碰撞，干冰颗粒液化包裹有机物脱离硅片表面，然后固化被高速气流带走。

X Guo[15]等人提出了一种新型干冰微粒喷射清洗技术，采用纯度为5N、压强为8MPa的CO2气体源、喷嘴前压强11MPa的清洗参数，最后得到了很好的清洗效果。

采用干冰微粒清洗技术对硅片进行清洗效果十分理想，而且对硅片表面无损害，不会污染环境，是一种理想的清洗技术。

2.3.2 紫外-臭氧清洗

J R Vig[16]于1986年提出了紫外线-臭氧清洗技术（UV/O3）。通过实验测得波长为253.7nm和184.9nm的紫外光，这两种波长的光子可以直接打开和切断有机物分子中的共价键，使有机物分子活化，分解成离子、游离态原子、受激分子等。与此同时，184.9nm波长紫外光的光子能将空气中的氧气（O2）分解成臭氧（O3）；而253.7nm波长的紫外光的光子能将O3分解成O2和活性氧（O），这个光敏氧化反应过程是连续进行的，在这两种短波紫外光的照射下，臭氧会不断的生成和分解，活性氧原子就会不断的生成，而且越来越多，由于活性氧原子（O）有强烈的氧化作用，与活化了的有机物-碳氢化合物等分子发生氧化反应，生成挥发性气体，如：CO2，CO，H2O，NO等，逸出物体表面，从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物。

UV/O3清洗技术可以有效的去除硅片表面的有机杂质，对硅片表面无损害，可以改善硅片表面氧化层的质量，但是对无机和金属杂质的清除效果不理想。采用相同的原理，WJ Lee和HT Jeon[17]利用UV/O3清洗过程中加入了HF，不仅除去了有机杂质而且对无机和金属杂质也有很好的清除效果。

2.3.3 气相清洗

气相清洗利用清洗剂高温气化，气流上升至材料表面，由于温度的差异发生冷凝，清洗剂溶解掉材料表面的杂质，回落到分离池，去除清洗剂中的水分和杂质后，清洗剂再回到加热槽进行气化，如此循环往复实现芯片表面清洗，如图1所示。

WH Lin[18]利用溴丙烷作为气相干洗的清洗剂，对砷化镓半导体裸芯片进行清洗。清洗过程没有对砷化镓芯片造成破坏而且得到了很好的清洗效果，经过实验的进一步测试，清洗后，芯片的性能保持稳定。采用类似的方法G Shi[19]利用氟利昂和异丙醇混合的有机溶剂作为清洗剂，清洗印刷电路板PCB，清洗效果优异。

由此证实了该方法是一种高度满足清洗要求的优秀工艺，并且可以推广到硅片的清洗工艺中。

2.3.4 束流清洗技术

束流清洗是指在电场力的作用下，雾化的导电化学清洗剂通过毛细管形成细小的束流状，高速冲击在硅片表面上，使得杂质与硅原子之间的范德瓦尔斯键断裂，杂质脱离硅片表面，实现硅片清洁。

J F Mahoney[20]等人于1998年提出了微集射束流清洗技术，将超高速的物质或能量流直接作用于硅片表面的杂质，使得杂质与硅原子之间的范德瓦斯键断裂，杂质脱离硅片表面。在此理论的基础上，超声波束流清洗技术得到了空前的发展。

WD jiang[21]等人利用KrF准分子激光器对硅片表面的Al2O3杂质进行了清洗试验和理论分析。利用248nm、30ns的KrF准分子激光源垂直照射到大小为5mm×10mm、厚度为650？滋m的硅片上进行清洗试验，然后使用MX40光学显微镜对清洗前后的硅片进行观察。得出使用单个脉冲能量密度为90mJ/cm2时，1？滋m大小的Al2O3颗粒及其团聚颗粒被明显去除，激光的清洗效率达到90%。

激光束流清洗技术能够有效的去除微米级和亚微米级的杂质颗粒，而且不对硅片表面造成损坏，是一种潜力极大的新型清洗技术。

2.4 干法清洗和湿法清洗的对比

湿法清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，但是由于化学试剂的使用会产生大量的有毒废液，造成环境污染。同时高集成化的器件要求硅片清洗要尽量减少对硅片表面的破坏和损伤，尽量减少溶液本身或工艺过程中带来的沾污，满足亚微米级器件的工艺要求，这对湿法清洗是一项巨大的挑战。

干法清洗技术能够在线清除硅片上的颗粒、有机物等沾污，清洗的精度达到了微米级，对硅片表面无损伤，是一种具有很好发展前景的清洗技术。但是由于技术方面的欠缺，导致干法清洗技术的成本较高，一直制约着其大面积的推广和发展。

3 结束语

随着光伏电池和半导体科技的发展，对于硅片表面洁净度的要求越来越高，达到了微米级甚至纳米级的要求，这对目前的硅片表面清洗技术无疑是一项巨大的挑战，优化和改善硅片的清洗技术迫在眉睫。针对当前的湿法清洗和干法清洗技术，可以从多个方面进行改良，从而实现硅片表面洁净度的严格要求。

（1）湿法清洗对于化学药剂有很大的依赖性，有机物、氧化层、颗粒、金属离子等不同的杂质需要性质不同的化学药剂，既增加了工序又提高了成本而且产生的废液会造成环境污染，简化湿法清洗的工艺，例如RCA清洗，可以通过研发新型的活性药剂和螯合剂，来缩短工艺提高杂质的去除效率。

（2）减小清洗工艺对硅片表面的损坏是非常重要的，化W药剂的强氧化性和腐蚀性在除去杂质的同时会对硅片表面造成一定程度的损坏，降低了硅片的性能和稳定性，可以通过研发和改进清洗工艺，例如在双流雾化清洗工艺的基础上，配合超声波清洗工艺，既不损害坏硅片表面又提高了杂质的去除率。

（3）很多硅片清洗的工艺仅仅局限于实验室，由于成本太高不能大面积推广，需要在原有工艺的基础上寻求替代材料和改善清洗技术，实现清洗设备的小型化和一次性完成硅片清洗使之成为可能。

（4）清洗工艺的自动化是目前大型工厂和企业非常需要的，自动化干法洗工艺在国内非常欠缺，在降低干法清洗的成本同时实现全自动干法清洗是清洗工艺的发展趋势。

（5）联合清洗工艺即湿法清洗和干法清洗的互补互利，既能减少湿法清洗的污染又能提高清洗效率。相信通过深入细致的研究，硅片的清洗技术将拥有更为广阔的前景。

参考文献

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金属氢范文第4篇

听不少人说过下乡的事，免不了提日子苦，年纪轻，少有人像唐龙，痛快一句：“响应号召!”他充满自豪感地将1969年8月31日铭记。那一年，他17岁，那一天，他到黑龙江省虎林县珍宝岛下乡，成为建设兵团四师三十五团一连的一员。

在兵团10年，封封家书都是父亲的毛笔字。最早让唐龙拿起毛笔的就是他。

唐龙是根正苗红的北京旗人，还是满族姓氏之一“他塔喇”氏。自小住在西华门筒子河边，后迁到西四小拐棒胡同。小时候的唐龙就聪明好动、四处结友。街坊四邻都认得这个跑窜在几条胡同踢足球的淘气小子。他学说快板、吹笛子。晌午，站在胡同里不管谁家窗下，拿起笛子一通狂吹。能想象愣头小子的专心致志，也能想象屋里人的无奈焦躁。

小唐龙在家也不闲着。他有整套的《水浒》《三国》连环面，这是用多少个几分冰棍钱攒下来买的书。他把好好的横格作业本扯了单片拿去临摹书中人物，之后被父亲发现挨打是常事，但这丝毫没动摇他对画画的兴趣。一天，父亲看他又在画，留下一句：“你没事也写写字吧!”就这样，唐龙用家里的小秃头毛笔，裹副食的姜黄色包装纸，加上当年一毛二分钱一个的奢侈品――“金不换”墨碇，写起了毛笔字。

三拜师傅，喊一声“老爹”。人在情谊在

唐龙是很恋旧的，经常提起曾在故宫当茶房但从未谋面的爷爷，他对爷爷穿着旧式朝服的印象都来自奶奶的描述，“连照片也没留下。”是唐龙的惋惜。有人说，懂得恋旧的人才更懂得重情谊。用在唐龙身上是没错的。

1979年，唐龙完全可以回京就业，但他为了第一段感情留在了哈尔滨。

一直没丢下书法的他，参加了黑龙江书法学院的学习课程。在这里，他认识了哈尔滨市书法家协会顾问、著名书法家王田老先生。“个不高，圆圆的脸，山东小老头，说话耿直。”唐龙乐滋滋地形容第一次见老师的印象。

王老先生有一对子女，女儿常年体弱，儿子不在身边。唐龙每周都去一趟老师家，屋里屋外的活儿他帮忙照应着，一入冬，冬储大白菜全靠他了。就这样，真心换来了王老先生的认可。

一天，唐龙认真地对老师说：“老师，您要是承认我，我就给您和师娘磕三个头，成为您的正式弟子，从此师徒如父子。您坐好。”唐龙最敬佩水浒人物的义气豪情，尊师重道是他对自己最基本的要求。而此时，王田露出了欣慰的笑容。正式拜师后，唐龙从此改称王田“老爹”。

结束了在哈尔滨十多年的生活，唐龙回到北京。2D03年，“老爹”到北京办书法展，一行人吃住，唐龙全招待了。儿子尽孝道，他认为应该的。虽然现在“老爹”去世，但唐龙还一直和他的儿子保持来往，当年的三个头，种下的是一生情谊。

书法、微雕数十载，成就仗义豪情

17岁的唐龙带着他的快板、笛子和毛笔，开始了单调的下乡生活。正经练字也从这会儿开始，但他说，谈不上书法艺术，直到拜在王田老师门下。

跟随王田的5年，唐龙从书法基本功学起。“你写的这是什么字!”王田对唐龙的要求是非常严格的，每当老师拍桌子大声呵斥，唐龙都规规矩矩地聆听教训。渐渐地，他多练多看，汲取百家之长，融隶书、魏碑、汉简等多种字体于一身。

也是从那时起，唐龙才认识到，书法，对自己性情的塑造和感情的抒发都有莫大的帮助。他一直谨记“做人要真诚厚道”的父教，“以德为邻”是他的座右铭。

所谓十年磨一剑，唐龙在书法路上一走就是三十几年，形成了独特的唐龙风格。

他的“蛇”字如同卧在宣纸上的一条草花蛇，形神兼备；“佛”字、“剑”字融合了生活化的理解，青烟缭绕、虔诚跪拜的景物人物形象跃然纸上，随风舞剑的飒爽英姿让一个“剑”字展现得淋漓尽致……他落笔看风雨，下刀如有神，字体拙中见巧，功力深厚。

除了书法，唐龙从1991年开始研究微雕。喜好钻研的他用合金块磨制独一无二的雕刻工具，一块块原生的象牙，牛角冻、鸡血石、白芙蓉、巴林石经过他280目、600目、1500目、2000目砂纸的层层打磨成为上好的微雕石料。 微雕艺术“艺在微”，愈是细微，功夫愈精，价值也愈高；微雕也十分讲究画面和章法的艺术，这就是“意在精”。

唐龙凭借身、心、指尖的灵动统一，完全抛开显微镜，自如地在一元硬币大小的石料上微雕绝句律诗。他仰慕的胸襟，苏轼的豪情，李白的壮阔，曹操的抱负，多少首激荡人心的诗句被他精心雕刻。

金属氢范文第5篇

英文名称：Light Alloy Fabrication Technology

主管单位：东北轻合金有限责任公司

主办单位：中国有色金属加工工业协会轻金属分会

出版周期：月刊

出版地址：黑龙江省哈尔滨市

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种：中文

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