集成电路设计的前景
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集成电路设计的前景范文第1篇
集成电路产业发展到如今已有50年之久，但这一产业仍然显得生机勃勃。迈入21世纪后，集成电路在无线通讯、网络、消费性电子、计算机等领域的应用更是日新月异，以集成电路需求量最大的手机与PC市场为例，新兴市场手机需求所占的全球份额已超过60％，在PC方面亦接近50％，而这一趋势在今后会越来越明显。全球约有63亿人口，高端市场占8亿人，新兴市场占15亿人，发展中市场占40亿人。不同市场里电子产品的需求特性、价格有所区别，对性价比及功能的要求也大为不同，这些均给集成电路的下一步成长带来了机会。
从另外一个角度来分析，也能发现集成电路的前景非常广阔。2007年，美国人均使用集成电路金额是250美元，而中国、印度等新兴市场则只有20美元。当中、印市场人均使用集成电路的金额达到美国的一半时，这一产业将呈现6－7倍的增长，可见新兴市场的增长潜力十分巨大。
据了解，2007年中国集成电路市场规模高达740亿美元，占全球市场29％。事实上，在这740亿美元中，有超过三分之二的市场是在国内制成电子产品，再出口到欧美、日本等国而获得的，但这一部分电子产品的内核――芯片，事实上是在国外终端市场上消耗掉了。如果想做进口替代，短期内恐难有着力点。比较可行的战略是促成国际集成电路大公司在国内设厂，就近供应与服务中国庞大的电子产业链，可提升整体产业链效率，降低成本，但一味盯着这三分之二的芯片市场而大盖晶圆代工厂恐怕不是长久之策。而另外三分之一的集成电路是制成电子产品应用于中国的内需市场。
现在，中国电子产业(包括集成电路产业)正迎来飞速发展的机会，但促使产业壮大的首要条件是建立竞争优势，建立能在国内市场与世界品牌争胜的本钱，然后才能去争夺全球市场。中国电子产品若要在本地市场与全球品牌竞争，必须推出具有特色的电子产品。电子产品的特色一般是通过工业设计(美观、时尚、人体工学)与功能设计(功能完备，高度整合)展现出来。集成电路是功能设计的体现，而集成电路设计是集成电路的核心。过去几年最具特色的热卖电子产品如苹果iPod、任天堂Wii等等，集成电路设计创意是其赢得市场的关键之一，其重要性就可想而知。
独特的设计可以带来有特色、有价值的差异，从而真正地建立起自己的品牌。建立如“索尼”、“三星”等世界级的电子企业，集成电路设计是关键因素之一，其重要性远大于进口芯片替代。
为什么中国的集成电路设计业可以做起来?首先，中国拥有足够的人才，拥有集成电路设计所必需的创新思维和能力；其次，它贴近全世界最大的内需市场和电子产品制造中心，集成电路设计者对消费者的需求能够快速反应，集成电路设计制造完成后就近运抵整机厂，提升产业链效率，降低成本。
集成电路设计的前景范文第2篇
【关键词】新专业 市场 可行性 分析 需求
【中图分类号】U472 【文献标识码】A 【文章编号】2095-3089（2012）04-0117-01
一、开设新专业的指导思想
在职业院校开设新的专业，应以市场为导向，以社会需求为准则，充分发挥地方资源优势和人才培养优势。积极地探寻市场、发现市场，把供需链条紧紧连在一起。在北京市同层次院校的专业中，做到人无我有，人有我强，人强我特，形成品牌，形成特色。专业设置逐步从“条件驱动”型向“发展需求驱动”型转变，即根据社会经济发展需求确定专业设置。从强调我能做什么，能培养什么样的人才，转变为强调需要我做什么，需要培养什么样的人才。本着以上指导思想，现提出开设微电子技术与器件专业的一些方案设想。
二、市场需求分析
微电子技术与器件专业，其就业导向涵盖了集成电路和半导体材料产业。根据首都“十一五”电子信息产业发展规划，集成电路、TFT?鄄LCD、计算机及网络设备、移动通信产业、数字电视产业、半导体照明材料产业和智能交通及汽车电子产业等7个产业是信息产业下一步发展的重点领域。其中集成电路排在了第一位，半导体照明材料排在了第六位。早在2000年，北京市委、市政府就首次向全球宣布：北京将建设中国北方微电子产业基地。从那时到现在，北京集成电路产业走过了蓬勃兴起的10年，初步建立起了集成电路设计、制造、封装测试以及装备材料互动协调发展的良好格局，确立了北京在全国集成电路产业中的重要地位。
以2010年为例，该年北京集成电路产业全产业链实现销售收入245亿元，比2009年增长了31%，产业规模是2000年的20倍左右，占全国的17%。在北京市，电子信息产业产品销售收入排名位居全市工业第一，占全市工业23%，而集成电路产业全产业链的销售就占了近四分之一。
目前，北京有各类集成电路设计企业约80多家，年总销售收入约90亿元，占全国的1/4。集成电路制造企业3-4（大型）家，实现总销售收入约60亿元，约占全国14%。集成电路封装测试企业2-3家（大型），实现总销售收入约90亿元，约占全国15%。集成电路装备制造企业3-4家（大型），实现销售20多亿元，多项装备在全国处于领先地位。另外，还建有生产集成电路关键原料的硅材料科研、生产基地。
当前，北京集成电路产业正迎来跨越式发展的新机遇。国务院2011年4号文为集成电路产业的发展提供优越的外部环境。相信要不了多久北京就会建成具有全球影响力的集成电路产业基地。
政府的大力支持，坚实的产业基础，广阔的发展前景，优惠的国家政策，可以说集成电路产业在北京具有得天独厚的条件。产业的发展必然伴随着人才的巨大需求，虽然集成电路产业是知识和资金密集型产业，但它同样需要大量应用型技术人才。比如集成电路设计，需要大量的程序录入和辅助支持技术人员；集成电路制造，需要大量的高科技设备仪器操作员、工艺技术员、质量检验员和设备维护技术人员；集成电路封装测试，同样需要大量的高科技设备仪器操作员、工艺技术员、质量检验员和设备维护技术人员。另外，半导体硅材料及单晶硅片的生产等，都需要大量的应用型技术人才。
三、可行性分析
在我院设置微电子技术与器件专业具有非常好的条件并且可行，其理由主要有以下几个方面：
1.我院在中专学校升高职院校之前，南校区就有这个专业。因此，在师资力量、教学资源、实训资源、招生分配等方面都有一定的基础和经验，设置微电子技术与器件专业可以说是驾轻就熟。
2.该专业的设置符合国家产业政策，契合北京“十一五”电子信息产业发展规划，因此，获得上级单位批准的几率大。
3.在北京“十一五”电子信息产业发展规划中，7个重点发展领域，集成电路产业排第一，半导体照明材料产业排第六，因此，设置该专业可获得国家和北京市资金的大力支持。
4.分配就业前景良好，正如市场需求分析中所提到的，集成电路产业在整个电子信息产业已经占到了四分之一左右，而且，今后将跨越式发展，必然需要大量的应用型技术人才，因此，该专业毕业学生的就业前景良好。
四、困难及解决途径
在我院设置微电子技术与器件专业也会遇到一些困难，仔细分析有以下几个方面：
1.生源问题。微电子技术与器件这一名称，属于比较新的科技名词，一般人在日常生活中很少接触，理解起来有一定困难，不知道这一专业到底学什么，毕业后干什么。因此，会出现专业招生困难，或招不到相对高素质的学生。
解决办法：一是改专业名称，起一个即通俗易懂，又能代表专业含义的名称，这有一定困难。二是加强宣传，在招生时，宣传材料、现场解说、视频资料等全方位进行，使考生了解北京市的产业政策和就业前景，提高对该专业的认知度。
2.实训问题。微电子技术与器件专业的实训环节比较困难，我们知道现在强调实训模拟真实场景，而集成电路产业链的工序非常多，每一道工序的设备仪器都非常昂贵，动则几百万，建立校内实训基地，场地和资金都是问题。
解决办法：一是计算机模拟，现在多媒体教学设备完善，各种模拟软件很多，通过购买和教师制作等方式来模拟实际工艺，替代昂贵的真实设备仪表。二是下厂实训，校企合作办学是学院发展的方向，我院有良好的基础和得天独厚的条件，北京分布着众多的集成电路设计、生产、测试企业可供我们选择实习参观，而且，我院已经和许多这方面的企业签有校外实训基地协议，如中国电子集团微电子所，北京飞宇微电子科技有限公司，中国科学院微电子所，燕东微电子有限公司等。我院应充分利用这一优势，解决微电子技术与器件专业的实训问题。
参考文献:
[1]尹建华，李志伟 半导体硅材料基础，北京.化学工业出版社，2012
集成电路设计的前景范文第3篇
关键词：电子科学与技术；课程建设；实践创新能力
中图分类号：G642.0 文献标志码：A 文章编号：1674-9324（2017）25-0103-02
电子科学与技术作为信息技术发展的基石，伴随着计算机技术、数字技术、移动通信技术、多媒体技术和W络技术的出现得到了迅猛的发展，从初期的小规模集成电路（SSI）发展到今天的巨大规模集成电路（GSI），成为使人类社会进入了信息化时代的先导技术。电子科学与技术专业是国家重点扶植的学科，本专业作为信息领域的核心学科，培养国家急需的电子科学与技术专业高级人才。
在新的历史条件下，开展电子科学与技术专业课程建设的改革与实践研究是非常必要的，这对于培养出具有知识、能力、素质协调发展的微电子技术应用型创新创业人才具有重要的指导意义和战略意义。本文依据电子科学与技术专业本科生课程建设的实际情况，详细分析了本专业在课程建设过程中存在的问题，提出了关于电子科学与技术专业课程建设的几点改革方案，并进行了一定的探索性实践。
一、目前课程建设中存在的一些问题
1.在课程设置方面，与行业发展结合不紧密，缺乏专业特色和课程群的建设，课程之间缺少有效地衔接，难以满足当前人才培养的需求。本专业的课程设置应当以培养具有扎实的微电子技术领域理论基础和工程实践能力，能从事超大规模集成电路设计、半导体器件和集成电路工艺制造以及相关电子信息技术应用工作的高级工程技术人才和创新创业人才为培养目标来进行课程建设。
2.在创新实践教学方面，存在重理论教学和课堂教学，缺乏必要的实践环节，尤其是创新实践环节的教学，相关实践和实验教学手段和教学方法过于单一，仅在教师课堂教学讲授范例和实验过程的基础上，指导学生进行课程实验，学生按照课程实验手册上的具体步骤逐一进行操作，完成课程所要求的实验。单一的实验和实践教学方式难以提升学生的创新实践和动手能力，更难以实现对所学知识的实践和灵活运用，难以满足当前强调以实践为主，培养实践型创新人才的要求。
二、课程建设改革的目的与任务
结合集成电路行业未来的发展趋势以及电子科学与技术专业总体就业前景和对人才的需求结构。根据我国电子科学与技术产业的现状和发展需求，通过对电子科学与技术专业的课程建设进行改革，重点强调工程实训与创新实践，在课程教学中体现“激发兴趣、夯实基础、引导创新、全面培养”的教学方针。重新规划专业培养方案和课程设置，以集成电路工艺与设计为重点，设置课程群，构建新的科学的课程体系，突出特色，强化能力培养。
三、课程建设改革的具体内容
人才培养目标以厚基础、宽口径、重实践、偏工程为宗旨，培养具有扎实的微电子技术领域理论基础和工程实践能力，能从事超大规模集成电路设计、半导体器件和集成电路工艺制造以及相关电子信息技术应用工作的高级工程技术人才和创新创业人才。以大规模集成电路设计、制造和工艺、电子器件和半导体材料、光电子技术应用等方面为专业特色进行课程建设改革，具体的改革内容如下。
1.课程设置。首先，根据本专业人才培养目标要求按需设课，明确设课目的，并注意专业通识课、专业基础课、专业限选课和专业任选课之间的衔接与学时比例，加强集成电路设计与集成电路工艺方面的课程设置，突出微电子技术方向的特色，明确专业的发展目标和方向，将相关课程设置为课程群，通过相关课程的有效衔接，突出能力培养。其次，随着电子科学与技术的不断发展，注重本专业课程设置的不断更新和调整。
2.教学方式。首先，加强对青年教师的培养和训练，注重讲课、实验、考试及课下各个环节的相互结合，即课堂与课下相结合，讲课与实验相结合，平时与考试相结合。其次，讲课中注重讲解和启发相结合，板书和多媒体相结合；实验中注重方法和原理相结合，知识和能力相结合；考试中注重面上与重点相结合，概念与计算相结合，开卷与闭卷相结合，重点开展课程的网络化建设，将相关实验课程的教学录像上网，通过网络教学加强学生的实验实践能力培养和提高。第三，注重双语课程的开设与优秀经典教材的使用相结合，双语课程与国际该课程接轨。
四、结语
科学与技术专业课程建设应当围绕电子科学与技术专业应用型人才的培养和专业特色，通过制订适用集成电路人才培养目标的培养方案、课程设置、实验体系和教学计划，突出集成电路工艺与设计实践环节，进而有效地提高实验和实践教学质量，为培养具有实践创新能力的科技创新型人才奠定了基础。
参考文献：
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Reform and Exploration of Course Construction of Electronic Science and Technology
CHEN Li-ying
（School of Electronics and Information Engineering，Tianjin Polytechnic University，Tianjin 300387，China）
集成电路设计的前景范文第4篇
目前，我国微电子产业的发展前景良好，通过该专业技术与其他学科相互融合，促进了新兴学科的诞生，其中主要有生物芯片、微机械以及集成电路等技术。微电子产业在经过自主创业、引进以及重点建设的阶段后，其规模与技术水平得到了显著的提升，同时我国对集成电路设计应用的重视程度较高，并在我国一线城市建立了相关的设计中心，此时高校则以不同形式进行积极的参与。本文主要围绕微电子专业实验室建设及实践展开了讨论。
1创建微电子专业实验室的必要性及重要性
社会经济发展的重要前提就是先进的科学技术水平，而新时代进步的关键则是高素质的复合型人才，这一观点是微电子产业发展中的核心原则。随着我国经济的不断发展，集成电路设计行业对人才的需求量不断上升，预计在未来的10年中，该行业对设计人才的需求量可达10万-25万，同时芯片制造行业对工艺技术型人才的需求量可达10万[1]。我国加强推行素质教育，并在对教育改革提出了更新的要求，主要体现在改革教学内容、教学机制以及实验教学等几个方面，主要目的是提升课程内容的实践性，重点对学生掌握实操能力进行培养。然而，一般高校内的微电子专业主要都是其他专业转型而来的，例如，半导体器件物理、半导体器件物理，现实条件未能满足实验教学的实际需求。所以，大部分高校内普遍存在着微电子专业实验室建设较为落后的现象，对微电子技术专业人才的培养造成了不利因素。目前，微电子专业教学逐渐引起各校的关注，并采取了针对课程内容及实验形式的改革措施，然而实际的教学内容并未满足技术发展的要求，其教学的效果相对于社会实际需求而言，还存在着较大的差距。所以，具备创新能力及高素质的微电子专业人才的培养是促进自主知识产权的增强及微电子行业发展的重要举措，而加强实验教学并促进学生实践能力的提升，有效的提升了实践环节的质量，同时保证了微电子教学满足该行业技术发展的要求。
2微电子专业实验室创建过程、规划与目标
目前，随着微电子行业的迅速发展，建设微电子实验室的项目逐渐被各校重视。NJLG大学对微电子实验室的建设已设定450万专项资金，现已完成集成电路设计EDA实验室的建设，同时微电子器件、材料以及工艺的综合型实验室也已建设完成。在开展大型集成电路设计的教学活动中，可通过利用EDA实验室来完成教学任务，微电子器件、材料设备以及工艺参数的测试等实验则利用微电子综合型实验室来进行实验教学。同时对实验室建设、教学改革方案以及教学目标进行规划时，其主要内容应符合该行业发展的实际需求，设计内容应具备前瞻性，同时遵循实事求是的原则。因此，可将创建国内先进EDA实验室及微电子器件相关的综合型实验室作为创建实验室的规划内容与目标，从而形成完善的实验教学体系。该体系的不仅要符合微电子专业教学纲要的实际要求，同时还应满足微电子专业技术发展的要求，为微电子专业学生提供多功能的实验基地，加强实践教学。
3微电子专业实验室创建的内容
3.1微电子专业EDA实验室
EDA工具的种类较多，且价格差距较大。所以，NJLG大学在选择时遵循高级、中级以及低级合理搭配的原则。EDA实验的建设主要分为两个方面，硬件及网络结构的建设以及软件的建设。根据NJLG大学内该专业的学生情况及教学规模，为满足实际教学需求实验室配备了图形工作站、服务器（浪潮英信）各一台，机共计110台，同时还配备了相应的投影机、数字示波器以及扫描仪等设备。实验室中，建设计算机网络系统主要通过英信的服务器当做服务器来完成，其中软件服务器以及教师使用的指导教学机器都将通过的工作站来完成，学生则通过110台的机来进行学习[2]。与两者间通过建立局域网的方式来实现教学指导，学生用机不仅可单独的进行软件的安装工作，同时终端访问的也可通过学生用机进行，并对的软件进行运行操作。当学生进行实验操作时，可通过将系统在的工作站上进行登录且不需其他辅助软件，充分的利用了本地的资源，对资源配置起到了优化的作用。针对软件的建设主要通过九天系统（ZeniEDAsystem）来完成，该系统不仅与实现很好的兼容，同时对大量的标准数据格式的转换工作也非常便捷，模块的类别主要分为两种，即前端逻辑设计与后端物理设计，前者主要是包括了行为、功能验证模块、负责设计原理图的；后者主要包括了负责物理版图设计的和针对版图进行验证的以及负责寄生参数的提取等模块。同时实验室还引进了生产的的相关软件，主要为以及等。
3.2微电子器件材料以及工艺的综合型实验室
微电子器件材料以及工艺的综合型实验室的建设具有一定的复杂性，其设备的价格较贵，在设备的选择上可根据其使用的重要程度选取一些价格适中的设备。微电子综合型实验室分别为硬件的建设和软件的建设。在硬件过程中，针对工艺制备与器件的部分，实验室配备了用于半导体分析的仪器、探针台、光刻机以及晶管图示仪等设备，主要用于研究晶体管的性质及其相关的氧化、测试实验。关于材料制备与参数测试的部分，实验室配备了光谱仪、显微镜管式炉、测试仪以及电化学薄膜制备的系统等，该设备主要用于方块电阻、电阻率以及测试以及少子寿命的相关实验中[3]。实验室针对软件的建设主要针对工艺制备配置了模拟软件，该软件被器件及工艺模拟领域广泛使用，在进行半导体工艺流程的模拟与仿真的过程中，该软件具备准确性高、速度快的优势，同时针对新兴或特殊的器件都较为适用。
4实验项目的管理及其实践效果分析
4.1实验项目管理
在微电子专业实验教学中，实验项目的科学管理是其重要的前提条件和依据。通过对实验室的特点进行分析，实行了系主任及实验主任统一协调的教师责任制度。同时将实验的内容划分为两个实验板块，依照实验内容的分布情况组织四个小组分别对材料、器件、EDA以及工艺测试进行管理，各组对其负责的项目进行日常的设备维护及软件的使用情况。落实责任的分工，在项目成立初期，安装设备并进行调试工作，同时针对设备的使用制定详细的操作明细，并将实验指导的流程及设备维护保养的相关明细进行整理[4]。
4.2实践效果分析
微电子实验室的建立为学生提供了更好的學习环境，实验室的利用已经深入到各个教学阶段以及毕业设计当中，提升了主动学习的积极性同时激发了学生学习的兴趣，使学生的创新、实践能力得到了良好的培养，增强了学生对该专业学习的信心。通过在校期间针对该专业的实验操作，学生对集成电路设计及微电子器件的模拟及仿真等相关知识有了基础的掌握，为学生步入社会、进入企业能够更快的适应岗位、熟练掌握操作技巧奠定了基础，对学生保持竞争优势具有积极作用。
5结语
综上所述，加强微电子实验室建设对培养学生创新能力及实践能力具有积极作用，并在开展微电子教学活动中取得了良好的效果。随着科学技术的不断发展，微电子产业技术的要求也不断发生变化，实验室建设中仍需要不断的对经验进行总结，对实验室项目的不足进行及时改进，才能符合该产业发展的实际需求。
参考文献
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[4]陈伟元，吴清鑫，吴尘，等.高职微电子技术专业实验室的构建[J].实验室研究与探索，2012（07）：227-229.
集成电路设计的前景范文第5篇
企业简介
福州瑞芯微电子有限公司系国家认定的高新技术企业和集成电路设计企业，专业从事数字音视频、移动多媒体SoC芯片设计。公司产品主要用于个人移动信息终端MID、平板电脑、手机、电子书、信息机和PMP等。2006年至2008年，连续三年获得由信息产业部颁发的中国半导体设计领域的最高荣誉“中国芯”评选的最佳市场表现奖。2009年获“中国芯”评选的最佳设计企业奖。
芯片概述
瑞芯RK2818方案采用了ARM(微处理器)+DSP(数字信号处理器)+GPU(图形处理器)的芯片架构，65纳米生产工艺，支持流行的Android 2.1R2(Eclair)版本操作系统，并将在后期提供更新的2.2版本升级支持；RK2818方案选用DDRII内存，可支持128MB-5 12MB容量，软件运行流畅度显著提升，并支持24bitECC MLC闪存(2G-32GB容量)。瑞芯RK2818支持800×480，800×600，1024×600分辨率触摸屏，支持YouTube与其它在线视频、兼容720P高清播放，并支持HTML5视频播放、高速网页浏览与下载功能，满足用户对于Web2.0网络应用的需求；在扩展方面，RK2818支持Wi-Fi／3G模块(TD-SCDMA，WCDMA，CDMA2000IXEV-DO)，覆盖各类无线网络模式，同时兼容2.0OTG与1.1HOST，并支持拍照和摄像功能，适应市场的差异化需要。
芯片封装形式：BGA 324pin
生产工艺：65纳米生产工艺
主要功能和技术指标
架构：RK2818(ARM+DSP+GPU)660MHz：
操作系统：Android 2.1R2(Eclair)；
GMAP：支持(google)；
GOOGLE MARKET：支持(google)；
IM(Gtalk)：支持(google)
Gmail：支持(google)
浏览：支持高速浏览器上网和下载功能；
3G：支持内置和外置3G模块(TD,WCDMA，EVDO)；
在线视频：支持土豆，优酷的视频在线播放，支持HTML5视频播放，如live.省略；
全系列音频格式：包括MP3／WMA／APE／FLAC／AAC／OGG／AC3／WAV；
视频格式支持：Max.1280*720 MKV(H.264HP)AVI RM／RMVB FLV WMV9 MP4；
图片格式支持：Max.8000x8000 JPEG BMPGIFPNG；
第三方软件支持：QQ,MSN,IREAD,OFFICE，GAME等大量第三方软件支持；
升级功能：支持工具及在线升级等；
支持wifi通话：可以借助第三方软件，也可以自行构建协议和服务器实现；
USB：兼容2.0 OTG与1.1HOST。
本产品所获得的专利
已受理专利3项
二、硅谷数模半导体(北京)有限公司――超低功耗HDM 11.3发送芯片 ANX7150
企业简介
硅谷数模半导体于2002年成立，公司研发中心位于北京中关村，目前拥有员工100余人，80％以上具有硕士以上学历，研发工程师大多来自清华大学、北京大学、中科院等高等院校。硅谷数模成立至今，得到了海内外诸多风险投资的支持，并以此为依托获得了迅猛、巨大的发展速度。
硅谷数模主要为通信、PC、消费电子类厂商，提供高速接口芯片，从而克服其原有系统在带宽和成本上的瓶颈，极大限度地提高系统性能。迄今为止，硅谷数模的产品线已经覆盖面向数字电视等的高清多媒体接口HDMI，面向PC等设备的下一代显示接口DisplayPort，面向背板及系统问的高速互联的6.25Gbps SerDes，面向以太网的长距离传输的长距离以太网PHY和IP解决方案。
芯片概述
硅谷数模半导体(Analogix Semiconductor)针对便携式媒体设备推出超低功耗HDM11.3传输器芯片――ANX7150。ANX7150基于Analogix的CircuitDesign专利技术，将功耗降到了同类型芯片的10％以下，该芯片输出480p的视频时只有1roW，而在输出720p／1080i的视频时功耗也同样仅为2mW。ANX7150将HDMI接口芯片的功耗大大降低，使HDMI接口得以运用于便携式电子产品中。
动辄几百毫瓦的功耗问题一直是便携式产品在引用HDMI接口的主要技术瓶颈，该技术回收HDMI链路中一般会浪费掉的电力，并重新利用，使得芯片无需从设备电池中吸取能量，不耗损电池寿命，延迟设备续航时间。
芯片封装形式：48 pin QFN,80 pin LQFP,81baliBGA
生产工艺：TSMC 0.18μm工艺
主要功能和技术指标
NX7150在拥有极低的功耗和极强的兼容性的同时，支持HDM11.3和HDCP1.2标准，性能优越足以支持便携类电子的要求，其主要特性如下：
1.支持1080p，支持像素时钟高达165Mpixel／s；
2.24位数字视频输入模式，支持24-bit RGB／YCbCr4：4：4，16／20／24-bit YCbCr 4：2：2，8／10／12-bitYC Mux(ITU.601and 656)等多种模式；
3.支持多种先进的数字音频，包括S／PDIF(PCM，Dolby Digital，DTS)，8声道12S(DolbyDigital和DVD―Audio)，6声道1-bit音频；
4.每链路7.5 Gbps带宽
5.向后兼容DV11.1标准；
6.支持HDCP1.2内容保护；
7.软件可调的电源管理；
8.内建的自测试功能；
9.可编程的信号输出幅度调节和预加重功能：
10.支持1.8V和3.3V电压；
11.封装规格为：48-pin QFN(6*6mm)，80-pinTQFP(14*14mm)，和81-pin BGA(4.2*4.2mm)：
本产品获奖情况
曾荣获第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术奖集成电路产品和技术奖项。
三、北京君正集成电路有限公司――应用处理器JZ4760
企业简介
北京君正集成电路股份有限公司于2005年在北京市中关村科技园区成立，自成立以来始终致力于国产创新CPU技术和处理器芯片的研制和产业化，目前已发展成为国内外领先的32位嵌入式处理器芯片及其相关解决方案提供商。2009年，君正被中国半导体协会评为“中国最具成长性集成电路设计企业”；同年，JZ4740获得第四届“中国芯”最佳
市场表现奖。
北京君正拥有全球领先的32位CPU技术和低功耗技术。针对手持应用和移动多媒体应用，北京君正创造性地推出了其独特的32位XBurst CPU技术。XBurst的主频、面积和功耗均领先于工业界现有的32位RISC微处理器内核。在同样工艺下，XBurst主频是同类产品的1.5倍，面积是同类产品的1／2，功耗是同类产品的1／4。
芯片概述
JZ4760是大陆本土首颗面向智能手机、平板电脑等移动设备的双核CPU应用处理器芯片，采用君正自主创新的XBurst双核CPU微体系架构，是国产CPU首次进人智能手机和平板电脑领域。JZ4760芯片CPU主频达600MHz，支持720P高清解码和图形处理功能，与同类芯片相比具有最优的性价比和最低的运行功耗，支持Android、Linux、RTOS等操作系统，适用于智能手机、平板电脑、移动互联网电视等移动互联网终端产品。
JZ4760凭借优异的性价比和低功耗优势，自2010年4月样片测试OK后，在Android智能手机、平板电脑、电子书等领域均有国内顶级客户选用JZ4760芯片开案。其中，上海展英通采用JZ4760芯片设计的智能手机进入量产阶段，这是全球首款采用国内AP芯片量产的Android智能手机，领先于MTK、瑞芯微、海思等国内处理器厂商的进度。
在芯片推出仅2个多月的时间里，JZ4760智能手机方案和平板电脑方案相继量产，JZ4760芯片出货量超过6万颗，销售收入达到365.9万元。面对国内AP市场每年超过一百亿元的市场空间，JZ4760市场前景广阔。
对国产CPU来说，产业化瓶颈已经打破，但应用领域基本集中在PMP、教育电子、指纹识别等细分市场并获得市场领先地位。如果国产CPU能够成功进入智能手机、平板电脑等主流市场，将是国产CPU继产业化成功后的又一重大突破。JZ4760芯片在移动互联设备的成功将是实现这一突破的关键。
芯片封装形式：BGA345
生产工艺：0.13um
主要功能和技术指标
JZ4760是一款高性能、高集成度、超低功耗的应用处理器芯片，内置强大的多媒体处理器、图形处理器和GPS基带接收器，支持DDR2 SDRAM和24位ECC校验，超低功耗，适用于智能手机、平板电脑、GPS导航仪等移动设备。
JZ4760基于君正创新的XBurst双核CPU微体系架构，CPU主频达到600MHz，支持多媒体指令集XBurst SIMD2，内置高效灵活的视频引擎支持多格式高清解码，H.264、ReM、MPEG4解码能力可达720P分辨率。内置音频CODEC和TV Encoder，集成了丰富的通用外设接口，同时集成多个SPI、SDIO接口用于功能扩展。
本产品所获得的专利
已受理专利2项
四、盛科网络(苏州)有限公司――高端以太网交换芯片CTC6048－Humber
企业简介
盛科网络(苏州)有限公司是由有多年高端芯片研发经验的归国留学生，以及来自华为、中兴等国内外知名公司的市场、管理和工程人员共同创办一家高科技创新型企业。2005年1月成立，注册资本988.9万美元。主要从事“自主IP／以太网路由交换核心芯片组及定制化系统解决方案的研发和产业化”，总部位于苏州工业园区。
经过近五年的技术积累，盛科在数据通信领域的技术已经处于中国领先，世界先进水平，拥有自主世界级竞争力的核心技术。到目前为止，盛科已成功开发3款具有国际先进水平的核心芯片，和3个系列成熟的定制化解决方案。
芯片概述
CTC-6048(Humber)是盛科自主研发的，具备完全自主知识产权的以太网核心路由交换芯片。该芯片性能和功能达到了国际领先水平，也是国内唯一的高性能以太网核心芯片。
该芯片是一款绿色节能的高性能、支持多业务(语音、数据、视频)融合、功能强大的IP包处理芯片。采用65nm工艺，工作主频575MHz，CPU接口位宽32位，数据位宽达到256比特，内部交换容量达到100Gbps。芯片内部包含多个MAC接口、数据入口处理引擎(IPE)、数据出口处理引擎(EPE)、报文数据通路控制(BSR)及交换网接口，网络侧提供48个10／100／1000M以太网接口或8个万兆以太网接口，上联口提供16根高速SerDes，可以与交换矩阵互联，或提供4个万兆以太网接口。每条SerDes功耗小于100毫瓦，设计技术和制造工艺均达到国际一流水平。
芯片提供了二层，三层，MPLS，城域以太网等多种先进的协议和技术。可广泛应用于城域以太网，PTN，三网融合，无线回传，工业控制等多个领域。
芯片封装形式：FC-PBGA1520
生产工艺：65nm工艺
主要功能和技术指标
强大的处理能力
出色的交换能力
先进的工艺设计
硬件集成多种先进功能
完全支持IPv4和IPv6双栈处理
强大的QoS功能
领先的以太网OAM&APS
丰富的安全功能
方便的统计功能
标准规格
本产品所获得的专利
已受理专利24项；已获取专利1项。五、北京华大信安科技有限公司――基于ECC的客户端安全芯片IS32U256A
企业简介
北京华大信安科技有限公司(简称“华大信安”)成立于2005年3月，注册资本为1670万元，公司的前身海南信安数据系统有限公司(简称“海南信安”)创建于2000年5月，是以椭圆曲线密码(ECC)算法理论及应用技术研究为主的信息安全企业。
公司的主营业务如下：
信息安全芯片开发与销售、信息安全IP核设计与销售；
信息安全芯片设计服务、信息安全应用技术服务；
基于安全芯片的应用产品开发与市场推广。
华大信安已经成为信息安全领域中拥有自主知识产权密码和算法核心技术的集成电路设计企业，获得了《高新技术企业批准证书》和《集成电路设计企业认定证书》。公司自成立至今一直是商用密码生产定点企业和销售许可企业，具有设计开发、生产和销售商用密码产品的合法资格。
芯片概述
ECC是一种主流的公钥密码算法，可以广泛应用于需要信息加密和认证的各种领域中。由于ECC相对于目前主要应用的公钥密码算法一RSA具有全方面的技术优势(更强的安全性、更高的实现效率、更省的实现代价)，已经被诸多国际和国家标准组织采纳为下一代的公钥密码算法标准(IEEE P1363、ANSI X9、FIPS、ISO／IEC和IETF等)，逐步取代RSA的趋势日趋明显。
华大信安作为第一完成单位，参与了ECC国家标准算法(sM2)的制定，为SM2算法贡献了具有自主知识产权的核心技术成果。SM2将在我国电子
政务、电子商务、网络银行、数字电视条件接收系统(CAS)、数字版权保护(DRM)、可信计算、移动通讯安全等领域得到广泛应用。
芯片封装形式：LQFP48、LQFP44、SOP24、SSOP20、模块封装
生产工艺：HJTC 0.18um PFLASH
主要功能和技术指标
产品执行国家标准密码算法：SM1、SM2、SM3、SM4和SSF33。
产品执行国际标准密码算法：IEEE P1363、FIPS186-2、ANSI X9.62。
本产品所获得的专利
已受理专利5项；已获取专利4项。六、北京中电华大电子设计有限责任公司――802.11n全集成射频心芯片
HED09W06RN
企业简介
北京中电华大电子设计有限责任公司(以下简称华大电子)成立于2002年6月，其前身为中国大陆第一家集成电路设计机构一中国华大集成电路设计中心。2009年9月，华大电子成为香港上市公司中国电子集团控股有限公司(00085.HKSE)的全资子公司。
华大电子是专业从事集成电路设计开发销售以及提供解决方案的集成电路设计企业，产品主要应用在智能卡以及无线通信领域。我们经常使用的第二代居民身份证、社保卡、加油卡、电信卡、购电卡、交通卡、无线网络设备等，无不嵌入华大电子的芯片产品。
型号：HED09W06RN
芯片概述
HED09W05SNA是一款高集成度，高性价比，支持802.11n 1T1R的WLAN网络接口控制器，内部集成了USB 2.0接口、PCI接口、MAC、BB、ADC、DAC，符合GB15629.11-2006、IEEE802.11a／b／g／e／i／n draft4.0／wapi 2.0标准。本款芯片采用双总线结构，分别用于寄存器控制和数据传输，有效提高芯片的性能，降低芯片的设计难度。
这款芯片集成了USB 2.0和PCI两种主机接口，分别对应LQFP-80和LQFP-144两种封装形式，能够满足客户不同主机接口下的应用要求。包括USB 2.0,PCI,Mini-PCI,Cardbus等。
HED09W05SNA作为可以支持802.11b/g／n的芯片，它支持DSSS(直接序列扩频)以及OFDM(正交频分复用)调制方式，具备良好的数据解忧能力，支持多种不同的数据传输速率。支持normalguard interval和short guard intmval。最高的物理层速率为150Mbps。
HED09W05SNA在芯片安全方面，在b／g／n模式F，支持WEP64、WEP128、TKIP、CCMP、WAPI加密。对于11n物理层速率下的发送帧，采用WEP64、WEP128、TKIP方式的加密帧，不支持A-MPDU聚合。CCMP、WAPI两种加密方式下数据传输性能和开放模式下传输性能基本相当。
HED09W05SNA芯片具有机制，在USB接口下将PCI模块节能，在PCI接口下将USB接口节能。在两种主机接口下，都可以软件控制本芯片进行节能和控制片外RF进行节能。其次还可以自适应的根据工作模式进行时钟管理，以最大限度的节省站点系统的能耗。此外，它还支持国际标准限定的省电模式：BSS中的PS-POLL节能机制，802.11eU-APSD节能机制，WiFi WMM-PS节能机制，从而使整个系统实现低功耗。
HED09W05SNA芯片支持软AP功能，可以实现同时组建5个SSID网络，实现5个独立AP的功能。支持建立多组播网络功能。可以实现作为STA加入别的网络的同时，自己又作为AP建立BSS网络的功能。
HED09W05SNA支持PIN Code WPS方式，从而让用户采用“傻瓜式”式操作即可以实现加密的完全网络，保证信息的安全性。
HED09W05SNA在USB接口形式下，其固件可以来自片内ROM，也可以来自使用12C或者SPI访问的片外EEPROM，提供的方式灵活，方便用户做更为特殊的开发。来自12C或者SPI的固件加载支持CRC检测，CRC检测不通过将进行最多3次的重复加载，保证了固件加载的可靠性。
本产品是国内首款支持802.11n标准的芯片产品，占据了国内领先地位，在国际业界达到了中游产品水品，对Atheros、Marvell、Ralink等知名WLAN芯片提供上在国内市场构成巨大竞争。推进了WAPI国家标准的产业化进程，加快了我国自主设计开发的WLAN核心芯片组的产业化，推动自主的无线局域网产业顺利发展。
芯片封装形式：LQFP80
生产工艺：130nm
主要功能和技术指标
OFrequency range：2.4～2.5GHz(14通道)
PLL／VCO累积噪声：0.5degree integration PN-(40dBc)
OPLIJVCO调整步长：80Hz／step
OPLL／VCO switch时间：
Low Pass Filter：7～22MHz(支持40MHz模式)
RX/Tx EVM:RX < -33dB;TX < -28dB
@13dBm Balun output )
PA Power: > 13dBm @ 54Mbps
RX/TX gain control range:RX: 100dB
-10dB - 90dB ) ;TX: 25dB ( -15dB - 10dB )
RF input range: -65dBm ～-5dBm@28dB SNR
NF: - 5 dB
RX BB output: Rx BB output: Vrms> 300mV
Vpp: 848mV )
Tx BB input:Tx BB input: Vrms> 100mV
Vpp: 283mV )
Crvstal tolerance : About +/- 2ppm
LO frequency stability: +/- 1KHz
Rx gain switch time : < 200ns
RXIN ( ADC common volt. ) :0.6V, 0.9V, 1.25Vthree mode
TXIN ( DAC common volt. ) :Support all cases( =0.7V bypass Mode )
Tx switch time : About 600ns
Power Consumption: 1RX - 70mA ( 126row );1TX～500mW
七、美新半导体(无锡)有限公司――新型磁传感器MMC214 MMC3140
企业简介
美新半导体(无锡)有限公司是一家成立于1999年由海归高端人才赵阳博士创办的企业，是全球首家将微电子系统和混合信号处理电路集成于单一芯片的惯性传感器公司，其电子微机电、微加工集成技术目前居全球领先水平。美新公司2007年在美国纳斯达克上市。
美新共有员工205人，其中研发人员46人，公司有博士5人，硕士15人。集中研发各类MEMS传感器、应用方案及系统解决方案；随着物联网在国内的兴起，公司正在积极开发国际先进的无线传感网系统解决方案，为物联网在国内的顺利发展提供核心技术及器件。公司目前申请发明专利共59项，拥有发明专利22项、实用新型专利10项。
芯片概述
新型MEMS磁传感器广泛用于移动消费类电子产品(如手机)与汽车电子、工业应用等高端传感器件。目前市场容量超过10亿美元，普通磁传感器由于存在体积大、功耗高、检测分辨率低、第三轴磁性传感灵敏度差等缺点已不能满足高端市场需求。本项目采用MEMS技术和CMOS大规模标准集成电路工艺，制备出体积小、重量轻、低成本、可批量生产的新型磁传感器，可以和Ic实现系统集成，并能扩展集成其它MEMS传感器。公司开发的新型MEMS磁传感器技术性能指标达到国际先进水平，填补国内空白。项目的实施对于支持江苏省整个MEMS产业发展，以及相应汽车与消费电子配套产业发展都将起到积极作用。
随着CMOS技术和MEMS技术的发展，微电子机械系统(MEMS)制造技术为磁传感器的小型化、微型化奠定了可靠的基础。它实现了直接将磁传感器件与CMOS电路集成到同一封装体中，降低了器件成本，同时具有非接触测量、高可靠、坚固耐用、测量灵敏度高等特点，能够完成许多常规尺寸磁传感器不能完成任务，是磁传感器件发展必然趋势。
新型磁传感器将消费类电子和汽车电子作为目标市场，技术发展方向为：
1)采用标准CMOS大规模制造工艺制备磁数模混合信号处理电路，从而有效降低生产成本；
2)优化芯片设计，有效降低芯片功耗和芯片尺寸，使其适用于各类低功耗要求的手持式设备；
3)开发设计与MEMS磁传感器相匹配的嵌入软件，采用软件自动校准传感器，同时可以动态地补偿磁干扰引起的误差，能够更有效为用户提供精确与便捷的应用解决方案。
目前，仅有国外PNI、HoneyWell、Aichi等跨国大公司能够生产新型MEMS磁传感器，国内还没有一家厂家能生产出类似的磁传感器。国外公司在磁传感器方面已申请多项专利，形成对我国MEMS磁传感器发展的专利壁垒。
美新公司开发的新型MEMS磁性传感器，性能达到并部分超过国际先进水平，打破了国际跨国大公司的技术壁垒，填补国内空白。同时项目的实施将大大提高我国MEMS技术发展，增加电子信息产品国际竞争力。
芯片封装形式：采用柔性基板进行z轴折弯封装
生产工艺：塑封结构
主要功能和技术指标
实现芯片低功耗设计，使MEMS磁传感器的降低工作电流20％；
磁传感器尺寸进一步缩小为3mm×3mm×1.0mm；
开发出磁传感器的新型校准算法，实现自动校准传感器，动态补偿磁干扰引起的误差。
实现磁传感器和加速度计的在同一封装内系统集成；
设计出两种传感器集成系统的智能算法，提供系统模块应用软件。
本产品所获得的专利
已受理专利15项；已获取专利3项。
八、华芯半导体有限公司――2Gb大容量动态存储器芯片
企业简介
山东华芯半导体有限公司成立于2008年5月，注册资本3亿元，是山东省政府确定的集成电路龙头企业。公司总部位于济南，并设立西安华芯半导体有限公司(存储器研发中心)，在硅谷、慕尼黑和香港设立合作研发中心。
2009年5月，华芯成功收购德国奇梦达科技中国研发中心，跨越式拥有了世界先进水平的存储器设计团队，获得了先进的软硬件设计平台和高水平的分析测试实验室，一举成为中国领先的半导体存储器集成电路设计研发企业。
公司拥有近百人的国际化研发团队，其中外籍员工7人，归国高层次人才8人，国内知名院校硕士学位以上毕业生占85％。
芯片概述
华芯DRAM芯片是中国自主品牌的高端DRAM产品，在功耗与性能上有明显优势。目前广泛应用于服务器、计算机、笔记本电脑、高清电视、机顶盒、上网本、平板电脑(PAD)、移动信息终端(MID)等产品。
华芯DRAM芯片采用业内领先的BWL(埋藏字线)技术进行设计，在相同工艺水平下，可以提供更优异的性能和更低的功耗。从晶圆到颗粒全面的品质管控，通过严格的测试流程进行筛选，确保产品的稳定性和可靠性。
芯片封装形式：TFBGA60和TFBGA84
生产工艺：12英寸65nm掩埋字线工艺
主要功能和技术指标
产品完全满足JEDEC DDR2标准
主要性能指标：
芯片尺寸：9.668mm×10.384mm
芯片容量：2Gbid片
数据率：800Mhz-1066Mhz
标称工作电压：1.8V，可选低电压1.5V工作模式
静态功耗均值5.0mA
最大动态功耗均值125mA
本产品所获得的专利
已受理专利5项；已获取专利1项。
本产品获奖情况
(Ic CHINA)最佳优秀展品奖九、天津市晶奇微电子有限公司――视频监控用大动态范围低照度CMOS图像
传感器BG10365
企业简介
天津市晶奇微电子有限公司由留学归国博士发起，致力于设计开发世界一流水准和完全自主知识产权的高端CMOS图像传感器芯片和相应相机产品，以安全监控、机器视觉、数字医疗照相等中高端市场为主要目标，打破日美公司对于国内中高端图像传感器芯片市场的完全垄断；依靠具有完全自主知识产权的设计技术和不断提升的生产工艺，开发出达到并超过CCD性能指标的高品质CMOS图像传感器，带动国内数字照相产业的发展。
自公司成立以来，已经研发成功5款具有国内一流水平的CMOS图像传感器芯片，其中两款属国内创新，国际先进。先后申请中国发明专利4项，已经获批一项；获得集成电路设计布图保护5项。先后承担国家级、省部级科研项目多项。
芯片概述
BG10365是晶奇完全自主开发的视频监控用大动态范围低照度CMOS图像传感器。在动态范围、暗光特性以及噪声控制方面采用了多项专利技术，使其达到了目前占据国内监控市场主流的Sony同类产品性能指标，成本和售价明显降低；同时通过开放功能接口，保证后端相机系统厂商具有独立开发的可能。这对于打破进口产品的技术垄断和开发依赖具有重要意义。
与市场同类产品相比，BG10365具有的主要特点包括：
(1)全并行组合滚筒曝光方式，保证在获得无
失真的运动图像同时具有优秀的暗光特性。通过采用世界首创的5T／4T像素兼容专利技术，对于运动物体的拍摄采用全并行曝光，而在黑暗环境下自动切换到滚筒式曝光模式；使得BG10350同时可以适应各类应用场合；
(2)BG10365内部采用了多项专利的噪声消除技术，暗光特性优异；
(3)高达120fps的拍摄帧频组合全并行曝光使其可以用于机器视觉、汽车电子等方面的使用。
(4)丰富的接口控制保证相机开发商针对应用特点进行图像处理软件软件开发。
芯片封装形式：CLCC／PLCC 48 Pin
生产工艺：0.18um CIS Process
主要功能和技术指标
1、D1分辨率720*576
2、高品质0.18um CIS工艺
3、5T像素结构，全并行曝光；
4、兼容4T工作模式，滚筒式曝光；
5、全分辨率最高帧频120fps，子窗口采样最高750fps；
6、彩色／黑白输出；
7、全分辨率功耗
8、片上lo-bit ADC；数字／PAL／NTSC输出；
9、宽动态范围控制；
10、兼容12C的SCCB控制接口。
本产品所获得的专利
已受理专利4项；已获取专利1项。
十、北京东方联星科技有限公司――多系统兼容卫星导航芯片OTragk-32
企业简介
北京东方联星科技有限公司(简称“东方联星”)是注册于北京市海淀区的高新技术企业，公司由具有多年美国硅谷公司工作经验的归国人员创办，专业从事自主知识产权的卫星导航核心技术产品的设计、开发、生产和销售。
东方联星植根我国自主卫星导航产业链的最上游，2008年即批量生产北斗多模卫星导航芯片，引领了中国卫星导航产业界的进步，我国自此拥有了卫星导航最核心的技术。目前公司已批量生产的主要产品包括：北斗多模卫星导航芯片、商性能北斗多模接收机、卫星导航与惯性导航组合导航系统、抗干扰卫星导航系统、卫星导航多星座模拟器、开发实验设备等6类40余款定型产品。各型产品已在我国航空、航天、航海、测量、通信、电力、气象、车载、手机等领域上广泛应用。
北京东方联星科技有限公司致力于高端北斗多模卫星导航应用系统的设计、生产和销售。我们以高新的技术，优秀的团队，完善的管理，努力为国内外用户提供更高性能的产品、更为优质的服务。
芯片概述
OTrack-32是国内首款成熟商用的多模兼容高性能卫星导航芯片，采用高速信号处理引擎技术，满足高性能应用各项指标要求，可同时接收北斗二号、GPS、GLONASS卫星信号，实现多系统联合导航精确定位、测速和授时。
OTrack-32芯片实现了当今世界上最快速的1秒热启动、35秒冷启动，稳定的1秒重捕获；高达每秒20次的真值定位；0.5米差分定位精度；5米单点定位精度；高性能架构双32通道；宽温工作能力；高定位更新率；单一芯片内集成了北斗二号、GPS、GLONASS三系统导航定位功能；高可靠、抗干扰；适应恶劣环境，在严格的地面测试和多种载体动态试验中表现出了优异的性能。
OTrack-32为东方联星公司基于自主技术研发，具有完全独立的知识产权，与国际同类型产品相比，用户的使用安全和服务支持得到更强有力的保证。该芯片已大批量生产，解决了GNSS芯片的大规模供货问题。在专业导航、测量、授时等专业导航领域受到用户欢迎。
芯片封装形式：QFNS8
生产工艺：0.18微米(μm)cMOS
主要功能和技术指标
接收频率：GPS L1／GLONASS L1／BD2 B1B2
通道数：并行32通道
重捕获时间：
热启动时间：1秒
温启动时间：30秒
冷启动时间：35秒
单点定位精度：5米(CEP95)
差分定位精度：0.5米
测速精度：0.1米／秒
1PPS：±100纳秒
定位更新率：1Hz、5Hz、10Hz、20Hz
供电：1.8VDC内核，1.8～3.3VDCI／O
功耗：90毫瓦(50mA@1.8VDC)
尺寸：10.0×10.0×0.8毫米
重量：0.25克
工作温度：－40℃-+85℃
行业技术标准
ICD-GPS-200C；BD-ICD-01-2.0
本产品所获得的专利
已受理专利3项；已获取专利2项。
