半导体的优势

前言：想要写出一篇令人眼前一亮的文章吗？我们特意为您整理了5篇半导体的优势范文，相信会为您的写作带来帮助，发现更多的写作思路和灵感。

半导体的优势范文第1篇

关键词：半导体照明；LED结温；标定；多项式拟合

中图分类号：TN312.8文献标识码：A文章编号：1009-3044(2011)20-5000-03

Measurement with Electrical Method and Optimization for the Junction Temperature in Semiconductor Lighting

YUAN You-xiang, BIE Shao-bing, TANG Wei

(HuBei Jianghan Petroleum Instrument & Meter Co., Ltd, Wuhan 430205, China)

Abstract: Based on the electrical measurement method on the junction temperature in semiconductor lighting, in this paper, the circuit of junction temperature measurement is designed, the technology of pulse width modulation (PWM) is used to obtain the dynamic junction temperature value. Experiment find that the factor K, the coefficient of junction temperature versus the forward voltage drop has the most important influence in the precision of the estimating junction temperature. Polynomial fit and linear fit are made to modify this coefficient. The results show that a good agreement between the measurement values and the reference values for junction temperature, the error is produced by the large sampling intervals. Improved measurement precision is carried out by enhancing the density of sampled data, relinquishing the bad data, and then by means of duplicated testing.

Key words: semiconductor lighting; junction temperature of LED; calibration; polynomial fit

目前半导体照明作为一种新型固态光源，具有节能、环保、寿命长、色彩丰富等显著优点。在半导体照明中，结温是指功率发光二极管（LED）的PN结温度，对于1mm*1mm*0.1mm的芯片尺寸，其芯片的温度被定义为结温。随着LED功率不断增加，有超过70%的电功率被转换为热能，功率型LED的性能受结温的影响极大，直接影响其发光效率、显色指数、色温、主波长、色坐标及使用寿命[1]。同时，由于高结温，封装材料会很快变性导致器件失效。由于LED模块体积小、内部结构复杂，难以直接而准确地测量其内部温度分布[2]。在大功率LED发展中，精确地测试LED结温具有很重要的理论和实际意义。

国内外有多种方法对半导体照明的结温的进行检测，最直接的方法是将微型温度传感器植入LED封装模块中，在LED芯片和支架之间嵌入一个热敏电阻，通过热敏电阻和温度之间的关系式推算结温，这种测试能实时稳定地监测LED结温，但在实际应用中增加了封装级的成本[3]。另外，拉曼光谱法测试结温是基于拉曼散射谱中的谱线stokes和antistokes在不同温度下的频移来计算结温，这种方法可以得到芯片内部不同微区域的温度分布；同时LED芯片发光峰值波长也与温度之间存在一个函数关系，这两种通过光谱传感的方法由于LED芯片封装在内部，测试时需要打开透镜而导致应用上的局限[4]。目前最常用的结温测试方法是采用电学法进行测试，在一定恒流控制下，通过标定出LED正向电压或扩散电阻（阱电阻）等参数与温度之间的关系来确定结温，其中正向电压法被认为是较理想的传感参数，这种测试方法可以通过脉冲控制方式来获取动态结温温升[5]。本文基于动态测试方法搭建了结温测试电路，并分析了影响结温测试精度的因素，并针对测试误差对标定中采用的函数关系进行优化。

1 实验系统及优化

1.1 实验测试原理

结温测试电路框图如图1所示，设计两个恒流模块，一个恒流输出为LED提供热源，输出电流为350mA，一个恒流源为LED提供测试电流，输出为1mA，两路电流作用时间通过模拟开关进行控制，设计脉冲的占空比为1%，在测试电流期间对LED前向压降值进行采集，为了消除LED自身的环境温度和电性能影响，设计一个参考LED反向输出电路，使用零偏补偿电路对测试的初始值进行定标，三路信号通过求和电路耦合输出，到单片机系统进行放大、A/D转换和显示输出。

1.2 优化方法

测试电路进行测试之前，须对LED的结温-正向电压之间的关系系数K进行标定，选用某公司的1W大功率LED模块作为样品，将该样品放高低温循环箱中进行升温，测试的正向压降在低温阶段随温度升高呈线性下降，在超过120℃时压降值呈现加速下降趋势。测试曲线如图2所示，实验得出高温段的数据值需要优化，不能简单用常数K值来近似。

由肖克莱(Shockley)方程[6]进行推导可得出：

（1）

其中Vf为被测LED的前向压降，k是波尔兹曼常数，q是电子电量，n是理想因子，If是前向电流，Rs为LED的串联电阻，Ea是受主杂质活化能，C和r均为材料相关的常数。该推导式可通过泰勒展开式进行多项式分解，为便于分析，将测试数据取绝对值，根据测试曲线形态，采用二次项方程进行拟合，结果如图3所示。

采用临界温度点对标定数据分段拟合能够精确地解决结温测试过程中标定带来的误差，但同时增加了测试的工作量，且对标定的恒温恒湿箱有较高的控温要求。对不同LED模块测试标准，需要建立相应的数据库来描述K系数特性。

1.3 实验测试电路及设置

实验用电路板和测试系统分别如图4(a)、（b）所示，系统提供的最大功率为80W，脉冲占空比为1%，测试系统的电压信号通过Agilent公司的六位半的多功能万用表34410A采样输出，数据传输速率为10Sample/s,经后处理得到瞬态结温值。

为精确测试LED结温，用直径0.3mm的细铜丝连接模块的引脚，则由封装模块的引脚散热影响可以忽略，测试过程选取LED的采样延时时间在uS级，这样在测试电流与加热电流切换过程中LED芯片的热损失也近似可以忽略。为了确定结温测试的准确性，将热电偶通过焊锡连接到LED底部检测铜热沉的温度，多功能万用表在该设定的采样速率条件下，采样精度可以控制在0.3mV，根据大功率LED的电压-温度系数关系，实测的结温数据精度可以控制在0.3℃范围内。

2 实验结果

5颗同类型的LED芯片封装模块平均结温如图5所示，每颗样品的测试值如表1所示，其中参考热阻值为通过仿真得到的数据值，包括了LED模块的体热阻、接触热阻和界面热阻，同时引入了松香层和焊锡层热阻，测试数据表明样品间的一致性非常好，测试误差较小。

3 结论

论文采用电学法对半导体照明中的结温进行测试，使用脉冲调制方法测试瞬态的结温变化值，实现了结温测试的电路。提出LED模块的正向压降-温度的关系系数K是影响结温测试精度的主要因素，对不同温度段的K值进行了分段拟合，测试结果表明，同类型的功率LED模块结温一致性良好，换算得到的热阻值能够较好的与参考热阻相对应。

参考文献：

[1] 费翔,钱可元,罗毅.大功率LED结温测量及发光特性研究[J].光电子・激光,2008,19(2):289-292.

[2] Min-Ho Kim,Martin F.Schubert,Qi Dai,et al.Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes[J].Appl Phys.Lett,2007,91:183507.

[3] Lee C Y,Su A,Liu Y C,et al.In situ measurement of the junction temperature of light emitting diodes using a flexible micro temperature sensor[J].Sensors,2009,9(7):5068.

[4] Xi Y,Xi J Q,Gessmann T,et al.Junction and carrier temperature measurements in deep-ultraviolet light-emitting diodes using three different methods[J].Appl Phys.Lett.,2005,86(3):031907.

[5] Quan Chen,Xiaobing Luo,Sheng Liu.Junction temperature testing system of LED design and measurement[J].7th China International Forum on Solid State Lighting,2010:313-316.

半导体的优势范文第2篇

    一、在职职工的购房工龄一律计算到1995年12月31日。已达到基本离退休年龄尚未办理离退休手续的，按国家规定的离退休年龄计算购房工龄，超过基本离退休年龄的必须提交审批手续。在职职工区分领导干部、一般干部、工人分别由组织、人事、劳资部门开具证明。

    二、离退休职工的购房工龄计算到国家规定的离退休年龄，凭离退休证和身份证办理，离退休证上未注明离退休年龄的按管理权限由组织、人事、劳资部门开具证明。实际离退休年龄超过基本离退休年龄的必须严格履行延长离退休年龄审批手续，未经审批的不能计入购房工龄。

    1.职工的基本离退休年龄：

    （1）干部：男年满60周岁，女年满55周岁；

    （2）工人：男年满60周岁，女年满50周岁。

    2.有关延长离退休年龄的规定：

    （1）从市级人大主任、政协主席、各派和工商联主委岗位离退休的干部，其离退休年龄可在基本离退休年龄的基础上延长5年，不足5年的按实际，超过5年的按5年计。

    （2）从市级人大副主任、政协副主席、各派和工商联副主委岗位离退休的干部，其离退休年龄可在基本离退休年龄的基础上延长2年，不足2年按实际，超过2年的按2年计。

    （3）从处级以上岗位离退休的女干部，凭延长离退休年龄的批文复印件（或手抄件），离退休年龄可延长到57岁，离退休时不足57岁的按实际计算，超过57岁的按57岁计算。

    （4）高级技术人员凭《延长离退休年龄审批表》复印件（或手抄件），离退休年龄可在基本离退休年龄的基础上增加10年，实际延长的退休年龄不足10年的按实际计算，超过10年的按10年计算。

    （5）中级技术人员凭《延长离退休年龄审批表》复印件（或手抄件），离退休年龄可在基本离退休年龄的基础上增加5年，实际增加的年龄不足5年的按实际计算，超过5年的按5年计算。

    3.职工没到基本离退休年龄提前退休的，其购房工龄从参加工作之日起计算到实际退休年龄。

    三、有关折算工龄的计算

    （1）从事特别繁重体力劳动、高空、高温、井下和其他有毒有害工作，按国家规定给予增加折算工龄的职工，在计算购房工龄时，其折算的工龄只能抵顶提前离退休的年龄。既有折算工龄，又按国家规定的基本离退休年龄离退休的，不计算折算工龄。

    （2）离退休职工增加的折算工龄少于提前离退休时间的，按实际折算工龄计算购房工龄；折算工龄超过提前离退休时间的，只将提前离退休时间计入购房工龄。

    （3）职工在上述特殊环境工作期间，因上学、出国、借调、住院、休养等原因，脱离该岗位期间，不得计算折算工龄。

    （4）在职职工1995年12月31日以前的折算工龄可计入购房工龄，但折算工龄最多不超过5年，计入购房工龄后不超过基本离退休年龄。

    （5）职工的折算工龄按隶属关系分别由组织、人事、劳资部门，凭档案记载的有效内容开具证明，档案中无有效记载不得开具证明。

    四、退职、辞职、开除公职人员购房工龄的计算：

    1.按国发〔1978〕104号文件退职的职工在职期间的工龄可计入购房工龄。

    2.经批准辞职的职工在职期间的工龄可计入购房工龄；自动离职的职工在职期间的工龄不计入购房工龄。

    3.开除公职人员在职期间工龄不计入购房工龄。

    五、关于学龄的认定

    1.职工在省以上教育主管部门承认的中等专业学校学习期间的学龄可计入购房工龄。高中、职业中专、职业高中、技校、培训和进修性学校的学龄不计入购房工龄。

    2.不与参加工作时间相连续的学龄不计入购房工龄。

    3.有两种以上学历的学龄只计算与参加工作时间相连续的一种学龄。

    4.与学龄相连续的工作时间不计入连续工龄，则该学龄也不计入购房工龄。

半导体的优势范文第3篇

关键词：半导体照明；产业集群；协同创新；技术路线图

世纪之交，美国、日本、欧盟、韩国、台湾等国家和地区相继推出了半导体照明国家或地区发展计划，大力培育和发展本国或本地区的半导体照明产业。在微观层面，以美国GE、荷兰PHILP、德国OSRAM三大世界照明生产巨头为代表的跨国公司，纷纷与上游半导体公司合作组建半导体照明公司，积极创造竞争优势，并正在中国抢占专利制高点，对我国的半导体技术发展形成了合围之势。因此，长三角作为中国半导体照明产业化的重要基地，有责任形成产业联盟，通过产业集群协同创新，共同应对跨国公司的竞争。

长江三角洲地区的LED产业集中在上海，江苏的南京、扬州和无锡，以及浙江的杭州等地区，开始呈现向园区聚集的发展趋势，且整个半导体照明产业链的投资都比较活跃。2007年，长三角的半导体照明产业规模约占国内总体规模的40％左右。截至2007年，在中国半导体照明联盟的73家会员中，长三角地区的半导体照明企业和机构有26家，占总数的三分之一。同时，长三角拥有中国六大半导体照明基地中的上海基地和扬州基地。其中，上海已经在半导体芯片制造和封装应用等方面呈现出良好的产业发展态势，并形成了比较完整的产业链和企业群；江苏在LED封装及应用方面已经初具规模；宁波具有良好的产业基础和经济区位优势，是国内主要的特种照明灯具生产基地，发展潜力巨大。

1 长三角区域半导体照明产业集群协同创新的现状及问题

1.1　协同创新现状

1.1.1　组建战略联盟，实现共同发展江苏奥雷光电(镇江)已形成了从大功率高亮度LED外延片和芯片制造―器件封装一应用三个领域的产业布局，无论从技术实力还是产业布局上都已处于国内领先地位。2005年江苏奥雷光电与上海宇体光电合作，在大功率高亮度LED外延和芯片进行研发和生产，并已签订协议，拟组建宇奥光电集团公司，共同发展LED芯片产业。

1.1.2　依托跨区产学研联盟，建立企业技术中心江苏日月(盐城建湖)照明公司、伯乐达集团(盐城)、盐城豪迈照明科技公司，分别与清华大学、北京大学、复旦大学建立长期合作关系，形成一定规模的封装应用生产线。此外，扬州市开发区先后引进清华大学、南京大学、中科院、中国电子科技集团公司等国内一流高等院校、科研单位落户，合作建立了扬州一南京大学光电研究院、中科院半导体研究中心、江苏省半导体照明工程技术研究中心、江苏省半导体照明检验中心、扬州一南京大学半导体照明研究院、扬州半导体照明和太阳能光伏应用研究与检验中心等研发机构10多家。

1.2　存在的主要问题

近几年，虽然长三角的LED产业发展较快，但由于均缺乏高新技术和知识产权体系作支撑，目前仍在低附加值领域徘徊，LED照明产业存在的问题主要表现在五个方面：

第一，在产品的应用开发上，低水平重复，缺少具有产业支撑度的龙头企业和企业集团。企业产业规模小，不能引领产业链的延伸和产业集聚。产业整合不够，绝大部分企业还是混战于低端市场，缺乏规范和约束，过度竞争导致在一定程度上影响到行业整体声誉，另外对封装前沿技术的研发广度和深度不足也需要引起足够重视。

第二，标准评价体系尚未建立，检测方法与手段缺乏，市场不能有效规范，市场竞争无序，产业管理部门需要加强合作。后应用领域本土市场规模巨大，但无标准、无规范的现象更加严重，产业高度分散，器件应用随心所欲，因设计、生产、安装不规范导致应用产品早期失效的现象比比皆是，给半导体照明产业的健康发展已经带来一定损害。

第三，基础性研究与产业化人才缺乏，结构不合理，核心装备与配套材料国产化的问题急需解决。

第四，行业发展缺少必要的政策支持，政府对半导体照明产业的扶持力度有待加强。

第五，缺乏长三角半导体照明联盟和合作平台，交流信息不充分，也是阻碍长三角产业聚集的重要原因。

1.3　产生问题的主要原因

1.3.1　缺乏产学研联合创新，影响自主创新能力的提升长三角地区在半导体照明产业领域还没有很好的形成产学研联合创新局面，表现在研究室、实验中心和各企业间各自为战，没有形成实质意义上的产业联盟。造成长三角地区半导体照明领域产学研联合创新缺乏的原因有：一是合作的积极性不高，高校、研究所更加关注这一领域的基础研究，例如照明材料的研究，而它又很难在短时间内获得突破，企业则是关注应用研究：二是高校、研究所管理机制与产学研合作要求不一致，高校教师的职称评定与论文挂钩，而企业更强调技术的应用开发；三是知识产权以及合作创新的成果归属问题目前国家还没有明确的规定，致使在合作过程中时有发生知识产权的纠纷问题。

1.3.2　企业规模偏小，标准建设滞后，产业集中度不高，阻碍了产业的集群发展长三角地区从事半导体照明的企业规模相对偏小，都是新成立的企业，资金薄弱，企业管理也相对薄弱，竞争不规范，今后很难在国际上规模竞争，至今还没有看到长三角地区有一家半导体照明企业上市融资。并且，中小企业融资难，也是制约长三角地区半导体照明企业规模不大的重要原因。此外，缺乏有影响力和有实力的企业制定技术标准，造成半导体照明行业没有统一的标准。短期看。没有统一的标准，将使半导体照明领域的竞争陷于无序状态。长期看，缺乏标准，必将使长三角地区的半导体照明产业在国际竞争中处于不利地位。

1.3.3　各地行政壁垒的存在，阻碍了产业链的有效整合上下游产业有机结合，专业化协作和分工是产业健康发展和成熟的标志，因为半导体照明产业的上下游产业的技术关联度相对较高，范围经济的属性较强。但由于行政壁垒的客观存在，长三角地区各个城市在制定半导体产业发展规划时，很少站在长三角的角度来考虑，在发展选择上几乎雷同。这样使企业集中在比较专业的领域，很少有企业能够在产业链条上进行垂直整合，没有一家企业形成了包括“衬底―延―芯片―封装―应用产品”的完整LED产业链，而长三角地区至今没有极具规模的封装厂。而以国外的发展经验来看，基本上都是走产业链垂直整合的发展道路，如美国的GELCORE的公司。

2　长三角区域半导体照明产业集群协同创

新的对策建议

2.1　发展战略

2.1.1　做强做大的集群发展战略　培育长三角的半导体照明产业的龙头企业，培养一批品牌企业。龙头企业是产业集群的支撑，产业集群的发展，必须要有龙头企业的牵动和带动。在培育龙头企业上，长三角各地政府要对获得全国驰名商标、中国品牌产品等的优势半导体照明企业实施重奖，并通过项目投资、土地、贷款上的政策，鼓励一些相关大企业集团通过收购、控股等资本运作方式进入半导体照明领域。同时积极引进和培育关联性大、带动性强的大企业，鼓励龙头企业提高核心竞争力，发挥其辐射、示范、信息扩散和销售网络的产业龙头作用；重点扶持关键性核心企业的技术自主创新项目，提升龙头企业带动力和产业集群竞争力。通过又强又大的龙头企业带动，在其周围聚集一大批配套企业，最终形成产业的集群发展。

2.1.2　协作融合创新发展战略一是加强长三角的科技和经济部门积极与上海世博局开展协调和合作，在世博会展览区一些照明、装饰、装备。采用政府采购的方式，建立半导体照明示范区。二是加强半导体照明产业链内部之间的整合和协作，形成合理分工体系。三是加强与第三产业融合，形成专业化的半导体照明市场。

2.1.3　技术标准发展战略“一流企业做标准、二流企业做技术、三流企业做产品”。作为规范国际秩序的依据和准则，标准成为企业竞争的制高点，同时，标准也不再仅仅是技术和经济层面的问题，而上升到政治层面，国际上一些国家经常利用标准来保护本国的产业。因此，在半导体照明产品还缺乏国际公认的技术标准背景下，长三角地区完全可以在培育龙头企业的同时，积极参与国家层面的半导体照明技术标准体系建设，为我国未来半导体照明产业发展在国际上获得更多的话语权。

2.2　路径选择

根据长三角地区半导体照明产业发展的现状特点、存在的问题以及半导体照明技术发展趋势，制定长三角区域半导体照明产业集群演化关键技术创新路线图，见图1。创新路径分三步走：

第一步，加强要素交流，通过引进发达地区的生产设备，建立半导体照明产品的企业，生产半导体照明的应用产品。但是，引进不是简单的引进。把技术和设备引进之后必须继之以消化、吸收和创新。同样的设备，别人制造出了一流产品，我们做不出来，原因很简单，我们没有掌握引进的设备，没有掌握工艺技术。同时，这个阶段的创新主要是集中在半导体照明下游产品的研发上。此外，在半导体的上游技术也要加强，为后续创新打下基础。

第二步，加强产业资源整合，通过市场机制推动有实力的企业兼并。国外都是大公司在发展半导体照明技术，他们的技术与研发资金雄厚，而国内的半导体照明企业规模偏小，市场竞争混乱，不利于产业技术创新的增强和产业的健康发展。因此，国家可以出台一系列的鼓励政策，在长三角等市场经济较为发达的地区，鼓励一些大型上市公司，通过资本运作，来兼并相关半导体照明企业，加强在产业链上的垂直整合，加强半导体照明中游产品研发，强化半导体照明技术的集成创新。

第三步，加大融合与协同创新，在产业层次上做到有所为有所不为。从技术路线角度考虑，国内可以分几个梯队进行研究，第一梯队主要围绕国际上主流的技术路线去走，在主要技术路线上创造新的知识产权。而第二或第三梯队就要研究国外也没有实现批量生产的新方法，走出国际三种技术路线的包围。例如开发直接发白光的芯片，开发受激发后直接发白光的白光荧光粉。从产业链角度考虑，长三角应当重点发展封装和应用技术，但上游技术领域也不能放弃。

2.3　发展对策

2.3.1 建立专利诉讼预警机制，增强企业的应诉能力 由于长三角地区的半导体照明企业的规模相对较小，还没有引起国外半导体照明大公司的注意。但到了上海2010年举办世界工业博览会之后，半导体照明产业可能做大后，国内企业由于缺乏半导体照明的核心专利技术，导致被诉讼的概率会更高。因此，长三角应该建立一个产业联盟，建立专利诉讼的预警机制，以应对长三角的半导体照明企业在遭遇国外专利诉讼而处于的不利地位，做到未雨绸缪，变被动为主动。一是要建立该领域国外专利诉讼的信息共享机制，成立专家顾问中心，聘请各领域专家对联盟成员提供指导，为联盟的对外交涉提供咨询，及时发出预警信息。二是诉讼经验的共享机制，一旦遭到，而可作到有备而来。

2.3.2　合纵连横，形成专利联盟　随着半导体照明产业国际竞争加剧。国外一些知名企业纷纷组建战略联盟，采取专利相互授权，共同打击专利侵权行为。因此，在国外大公司采取专利相互授权的联合包围的策略之时，长三角乃至国内的企业也要采取合纵连横和建立联盟的反突围的策略，众人拾柴火焰高，共同抵御国外大公司的专利包围，寻找突破口。所谓合纵，就是要联合长三角地区半导体照明产业的上中下游的企业，采取交叉授权，建立专利战略联盟，形成专利池效应。所谓连横，就是要长三角地区半导体照明产业同一产业链上企业，采取相互授权的方式，增加彼此的专利拥有数量，增强专利拥有的质量，这样一旦有企业在国内或国外遭到专利诉讼，可以增加谈判的筹码，同时可分担高昂的律师费，互通信息，减少单独应诉带来的风险。

2.3.3　联合制定技术标准。促进产业集群发展长三角地区的半导体照明技术和产业在国家中具有一定地位，应该在标准之中有所作为，联合起来，制定标准。主要工作有：尽快完善测试方法、试验方法等基础标准：器件标准应与已有的半导体器件标准协调：研究、制定较成熟产品门类，如芯片的通用规范；对于尚不成熟的产品，应密切关注、研究，适时制定标准；注意产业链上中下游之间的协调；部门之间、行业之间强强联手，共同合作；积极参与国际标准的制定，适时提出国际标准提案。

半导体的优势范文第4篇

记者：最近几年半导体市场变化非常快，如何看待这样的经济形势下的半导体产业发展，意法半导体的情况又如何？

Carlo Bozotti：目前整个市场比较困难，在过去的几年当中，半导体行业的周期变化在不断地加速。2011年和2012年中，行业的整体发展格局和态势相差无几。2011年年初我们的表现非常强劲，但是从2011年下半年开始，在预订和订购方面出现了下滑趋势。今年情况也和去年基本相同，上半年订单表现非常强劲，6月份出现放缓的迹象，在欧洲是这样的情况，在整个亚洲地区也如此。即便是在这样一种波动的情形之下，我们仍然作出了第三个季度增长的指引，三季度我们的指引计划是达到环比增长2.5%。

记者：欧洲的产业最近出现了一些问题，意法半导体怎样去应对这样的变化？

Carlo Bozotti：举个直观的例子，像诺基亚这样的昔日大客户，因为它的业务下滑，我们的业务随之减少10亿美元，所以必须努力地来寻找相应的客户来弥补和替代这方面所产生的损失。我们已经做了很多补救的措施，一定要让自己的客户群多元化、均衡地发展，这是非常重要的，才能让我们能够更好的应对风险。我们很有信心在将来意法在营收方面仍然会继续走向成功，不过我们不会更多地去依赖于某一个大的客户来获得营收。在地域方面，我们更注重新兴市场客户的开拓，致力于更多发展亚洲的客户，目前和亚洲的客户之间的销售在不断地提高。目前，意法半导体的客户结构比例大概是欧洲、亚洲和北美客户各占三分之一，

记者：面对市场的挑战，意法半导体如何转变企业战略？

Carlo Bozotti：我们确定了未来发展的三大重点，在本季度和接下来的几个季度，我们会努力把三个重点真正地执行起来。第一个重点是要提高市场份额，我们希望今年下半年的市场份额能够比去年下半年更高。第二大重点是要通过对资本和资产的有效的管理，来实现在困难时期公司财务的稳定。我们公司有两大主要业务阵营，一是传感器、MEMS、模拟及功率一方面的产品，另外是包括STEricsson公司，以及我们数字消费者领域的产品在内的VLSI业务，由于各种不同原因的存在，尤其欧洲一些大的客户的影响，我们的第二大业务阵营目前从财务角度看来好象并不具备可持续性发展能力，所以我们的第三大重点就是要使公司两大业务阵营同时实现实现可持续性的发展。

投入研发强调优势

记者：意法半导体的产品线覆盖很多，作为CEO，如何让意法半导体在每个领域都能取得成功？

Carlo Bozotti：意法半导体有五大产品线，分别是功率管理，还有传感器模拟包括很重要的MEMS这个产品线，第三类是专用的汽车电子产品，第四类是微控制器MCU，第五类是机顶盒。说我们这五大产品是如何来取得成功的，我觉得其实有两方面的原因，一个就是虽然现在面临很多市场困境，但是我们在研发方面做了很多的投入，在研发方面有能力足以支持我们五个产品线能够不断地来取得成功。第二个主要的原因是我们总是不断地来通过创新，来实现我们产品和技术的成功，其实已经在很多情况下，我们都已经充分地展示出，我们有能力来领先于整个市场，来推广我们的产品。

记者：在最近IC Insights的一份报告中显示，意法半导体的研发投入比例在所有半导体巨头里排在第二位，总投入额则是第三，足见其对研发的重视。刚才您也谈到了研发投入在成功中的重要作用，意法作为欧洲唯一的IDM这样的战略考虑是什么？

Carlo Bozotti：无论是在半导体，还是在硅技术方面，过去几年意法半导体都进行了更多的研发投入，虽然过去四年当中市场情况并没有那么好，但是我们仍然在研发方面做了很多的投入，因为我们坚信研发方面花的钱肯定是很值得，而且我们也会看到这个研发方面的投入，给我们带来好的回报。虽然我们逐步更多依靠合作伙伴进行半导体生产，但我们也在与合作伙伴一起开发半导体制造工艺，这方面的投入带来的好处就是我们可以让产品有自己独特的技术优势，这些有差异化的技术，是我们真正能够拥有竞争优势的地方。比如，ST是世界上唯一能够有40纳米嵌入式Flash生产能力的公司，使我们拥有了这方面的竞争优势。而FD-SOI作为一个低功率的应用，在同样的处理能力的条件下，功耗可以减少了30%左右而成本保持不变，这对很多处理应用是个非常好的技术。在MEMS传感器方面，我们有自己的成像技术，也有自己28nm的TSV生产线。最重要的是，所有这些先进技术，不仅可以从合作伙伴获得，意法半导体自己也可以实现。

记者：意法半导体在这些产品应用领域的优势？您怎么定位未来意法半导体的重点？

Carlo Bozotti：在意法半导体广泛产品的组合当中，有两个方面是比较突出的，也是我们具有核心竞争力两方面。一个是传感器和功率方面，比如意法的Motion MEMS排名第一，这现在对我们公司是很大的一块业务，总业务价值已经达到10亿美元。第二块核心竞争力的领域是数字消费、融合以及嵌入式处理。在以上两个方面我们都立志要成为一个全球的领先公司。

记者：哪些应用和技术是您自己比较看好的未来热点？

Carlo Bozotti：三个应用领域在未来会非常普及，而且很多电子和信息技术都将能够广泛地来服务于这些领域。一个是医疗应用，我们的目标就是要充分利用电子信息技术，让医疗服务成本能够越来越低，并让越来越多的人都享用到这样的医疗服务。我们的产品也支持多种类型的医疗应用，比如说我们有心脏监控这方面的医疗应用，还有对针对糖尿病患者相应的医疗应用。第二个应用领域是节能。第三个应用领域是数字信任和数据安全。这些应用领域，对我们来说意味着很多的挑战，但同时又意味着巨大的商机，所以我们希望能够充分地利用我们的电子技术来应对所有的这些商机和挑战。

决胜中国市场

半导体的优势范文第5篇

继德国半导体厂商Qimonda 1月宣布破产，美国闪存厂商Spansion 3月申请破产保护后，日本排名第二和第三的芯片制造商――瑞萨科技与NEC电子终于牵手，总算为利空不断的半导体行业带来了一大期盼。

4月27日，盛传已久的NEC电子与瑞萨半导体合并案终于尘埃落定，双方宣布合并两家公司业务。同时，两家公司表示，将于今年7月底签署合并业务的协议，在2010年4月份将进行合并运营，并保证新公司的上市。

受到金融危机的影响，全球半导体市场状况已经严重恶化。日本的两家重量级公司的合并多少给长久的市场低迷状态注入了一剂兴奋剂。有媒体评论指出，由于半导体行业面临巨大的资本投资，快速的技术更新换代导致产品价格剧烈波动，此次合并可以使两家公司淘汰落后的产能，并且实现规模经济效益。

然而，也有分析师并不看好这桩“婚姻”，指出两家公司的结合虽将创造出微控制器(MCU)霸主，但双方将会面临沉重的整合问题。

抱团取暖

瑞萨是在2002年由日立与三菱电机的逻辑芯片部门合并而成，NEC电子则为NEC旗下独立上市公司。两家公司在2008财年都出现了严重的亏损，并且前者在此次的产业衰退中受到重创，该公司预测今年将亏损22.94亿美元，销售额也将狂跌。NEC电子最近一季财报也显示销售额与去年同期相比下降了25.4％，净亏损达2.19亿美元。

业内人士认为，在供过于求、价格下跌和芯片需求持续疲软的因素下，半导体行业处于长时间衰退状态。NEC电子和瑞萨的合并更类似于抱团取暖，希望合并以后的规模效应能进一步提高竞争能力，扩展生存空间，以有效抵御全球经济衰退给公司带来的负面影响。

市场研究机构iSuppli的数据显示，瑞萨目前是全球第六大半导体供货商，2008年营收为70.17亿美元；NEC电子则是全球第十一大供货商，2008年营收为58.26亿美元。两家公司的合并，将诞生一家年营收128亿美元，规模仅次于英特尔与三星电子的全球第三强。这一席位目前属于东芝。

但是，另从Databeans的排名资料看出，瑞萨与NEC电子在2008年分别是全球排名第一与第三大的微控制器MCU供货商，合并以后在微控制器领域的市场占有率将超过30％。而其他30家同行企业的市场占有率都只有个位数。同时，瑞萨是手机、汽车电子领域系统芯片(soc)的领先厂商，而NEC电子则在消费电子领域的系统芯片(SoC)市场表现强势，两者整合优势资源、强强联手的情况下，将会对其他系统芯片厂商构成重要的威胁。为此，有分析师曾指出，在NEC电子和瑞萨科技合并之后，东芝可能会寻求与富士通建立芯片联盟。

在集成电路产业中，芯片市场大者恒大的趋势几乎成为行业的共识。英特尔在PC领域的CPU市场，三星电子在半导体存储市场都逐渐形成了越来越大的领先优势，也进一步巩固了两者在全球半导体行业的头两把交椅。然而，在MCU和SoC领域，市场变幻莫测，依旧是群雄割据的局面。如果优势资源整合成功，NEC电子和瑞萨的合并将使得这一新的半导体巨头在这两个领域占据巨大的竞争优势。

前路漫漫

半导体行业协会(SIA)数据显示，2009年3月全球半导体销售收入为147亿美元，同比下降了29.9％。SIA会长史卡利斯表示，3月销售额不如去年同月，但从2月以来有微幅上升，显示需求似乎有企稳回暖的迹象。

在目前其他半导体厂商都处于水深火热的情况之中时，部分业内人士并不看好这次合并。他们认为，两家日本公司的合并是不得已而为之，两者自身就面临着许多难以解决的问题，合并以后这些问题并没有解决，还有可能增加更多产品整合以及管理统一的新问题。

鉴于目前瑞萨和NEC电子各自都拥有较广泛的产品线，Objective Analysis分析师汤姆・斯塔尼尔斯(Tom Stamers)指出，双方面临的产品重叠问题会高于产生新的协同效益。他认为，当需要生产更多种类的芯片时，制造成本也会跟着升高；而新合并的不同类型的芯片产品都需要经历新制程的适应过程，这是非常耗费资源的，短期之内将很难看到效益。“合并带来的市场占有率的提高仅仅是表面现象，如果无法发挥整合优势，提高效益，对市场格局并不会产生太大的影响。”该分析师说。

值得NEC电子和瑞萨引以为鉴的是，摩托罗拉曾经拥有非常强大的半导体部门，发展方向却一直不明确：一方面和英特尔在电脑芯片领域存有竞争，另一方面又和TI大战于通讯领域。由于摊子铺得过大，核心战略不明显，结果其市场份额逐步被蚕食。在摩托罗拉半导体部门被剥离后，市场占有率更是直线滑坡，目前已经跌至行业前十名以外。

为了防止出现摩托罗拉芯片业务的悲剧再现，NEC电子首席执行官ToshioNakajim称，NEC电子和瑞萨科技将一共减少2000亿日元的成本，预计新的公司不会亏损。