化学机械抛光技术

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化学机械抛光技术范文第1篇

关键词：晶圆抛光雾 Haze目检表现 Haze分级 CMP工艺

中图分类号：TN3 文献标识码：A 文章编号：1007-3973（2012）002-046-02

1 引言

随着 IC图形特征线宽向更小方向的迅速发展，对晶圆衬底的表面质量要求越来越高。晶圆抛光雾是高质量抛光的重要参数之一，尤其是对晶圆精抛质量的评价更加重要。化学机械抛光工艺一直是晶圆表面平坦化的主流方法，并且已经被整合到整个半导体和集成电路制造中。CMP技术是将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，同时兼收了二者的优点，可以获得比较完美的晶片表面。

2 Haze简介

晶圆抛光雾指抛光后在晶圆表面留下的密度为105/cm2微浅损伤缺陷，该缺陷在强聚光灯照射下产生光的散射给人眼的感觉像雾。这些微浅损伤包括：高密度的凹坑、小丘和拉丝（也叫擦伤是指在经过严格清洗处理的抛光面上所见到的一些无规则的轻微划痕）等，Haze在强火灯下的具体目检表现为一种像灯丝发散状的结构，其结构的清晰程度和粗细可表征晶圆表面亚损伤层的轻重；通常的Haze一般认为产生于精抛过程。

如果Haze在晶圆上分布不均，像只覆盖部分硅片或是在整片区域中由重到轻则称为taper haze。

Haze的颜色通常表现为白色、灰色或淡蓝色。

2.1 Haze的分级

通常将其分为四个等级，即：

(1)级雾（no haze）

这种等级的Haze通常认为是无雾的，在强聚光灯的直射下晶圆表面几乎看不到灯丝状的放射结构；

(2)级雾（light haze）

在强聚光灯的直射下晶圆表面可依稀看到有灯丝状的放射轮廓，但其结构细节不易看到；

(3)级雾（medium haze）

在强聚光灯的直射下晶圆表面灯丝状的放射轮廓清析可见，长灯丝状的结构细节也可以看到，但不太密集；

(4)级雾（heavy haze）

在强聚光灯的直射下晶圆表面可清析看到长灯丝状的结构密集地交织于一个空心圆环。

2.2 不同级别Haze晶圆在金相显微镜DIC法下的表现

图1 1级Haze显微镜下照片 图2 2级Haze显微镜下照片

图3 3级Haze显微镜下照片 图4 4级Haze显微镜下照片

3 Haze的控制

Haze的形成机理为精抛过程不充分，精抛后在晶圆表面留下的微浅损伤缺陷导致。具体原因有：精抛垫种类和质量的影响；精抛液种类及配制的影响；精抛工艺参数设置不合理，如压力、时间、抛光机大盘及压头相对转速、抛光温度、抛光液和纯水流量等设置不当。当然除了精抛不充分外，还有一些其他因素也可导致晶圆表面有雾状缺陷，如抛光后化学清洗液的轻微蚀刻、与空气接触后中在表面形成的化学薄膜等，但其细节表现与Haze表现不同，查找缺陷原因时需注意。

3.1 精抛垫的影响

(1)精抛垫寿命的影响

抛光过程中，抛光垫有贮存、输送抛光液到加工区域、除去抛光过程产生的残留物质、传递材料去除所需的机械载荷、维持抛光过程所需的机械和化学环境等功能。在抛光垫使用寿命的中后期，抛光过程中的机械作用与化学作用会同时降低（机械作用降低速率比化学作用降低速率要慢）。抛光速率也将慢慢降低，机械作用与化学作用逐渐失衡，这导致haze程度随抛光垫使用时间的延长而升高，在生产过程中选择合适的抛光垫寿命，确保晶圆 CMP的质量。

(2)精抛垫种类的影响

不同种类的精抛垫其细节结构、使用寿命通常不同，在使用的过程中表现也不一样，因此在生产中引入新种类抛光垫时要做充分的试验评价，在保证Haze正常的情况下，其他表现也要同时评估，如颗粒水平、OISF划道等。

(3)精抛垫过保质期

若使用已过保质期的抛光垫很快就会像上述3.1.（1）中情况一样产生haze。

(4)在制备或存储过程受到石油或表面活性剂的污染等。

3.2 精抛光液的影响

不同种类的抛光液粘度、活性、PH值等不同，从而抛光工艺参数设置也不相同。精抛液配制比例不正确导致的化学腐蚀过快或过慢也会引起haze的产生。

3.3 精抛工艺参数的影响

(1)压力控制

精抛过程的去除量非常小，压力过大或过小都会致使雾的产生或加重，压力的设置需根据具体的抛光设备及所用原材料在生产中开展一系列试验，调试出合适的压力，通常压力的设置不易过高，如单位面积上晶圆承压在120g/cm2左右。

(2)相对转速控制

抛光机大盘及压头转速对haze有着重要的影响，其直接影响抛光过程中的温度。精抛是恒温抛光的过程，转速的设置在很大程度上决定了要达到合适温度的时间及精抛的充分性；同时还要保证大盘转速与压头转速的协调，若此项失配则会引起taper haze；对于多头抛光设备通常温度设置在30-35℃之间。

(3)流量控制

精抛过程中抛光液为一次性使用，抛光液流量通常控制可均匀分散到抛光垫上即可；但不能太小，流量太小会增大机械磨擦，由此引起的温度分布不均会产生其他质量问题。

(4)时间控制

供给抛光液阶段，在其他状况正常的情况下，延长高压段抛光液抛光时间可减轻或消除haze；水抛阶段，在其他状况正常的情况下缩短或取消水抛光时间可明显的减轻或消除haze。

4 结论

综上所述，CMP精抛过程中有效控制和消除消除晶圆Haze，在保证高质量的抛光垫和抛光液的前提下，选择合适的抛光工艺是非常重要的。

参考文献：

化学机械抛光技术范文第2篇

【关键词】整体叶盘；机器人；自动化抛光

整体叶盘技术在20世纪80年代第一次出现，当时的整体叶盘技术主要是用于将发动机的叶片进行整合，对于一些结构复杂、操作性差的机器具有良好的应用效果。当前我国对整体叶盘的加工主要有数字加工和手工加工两种模式。这两种方式在加工效率和质量上都难以有良好的保障，尤其是手工加工的方式下，加工人员需要长期在恶劣的工作环境中进行工作，并且故障的发生率极高，不光给企业造成了经济损失，甚至会威胁到加工人员的生命安全。机器人的自动抛光技术较好的解决了这些问题。

1.整体叶盘的结构特性

与传统的叶盘结构相比，整体叶盘在结构的整体性上有了明显的提高。在整体叶盘结构中省去了榫头、榫槽等部件，较少了气流在榫头上的损失，同时还减轻了整体叶盘的重量。此外，在整体叶盘的结构上采用的是窄流道的布局方式，能够有效的提高气体的流动性，但这也给整体叶盘的抛光带来了一定的难度，主要体现在以下几个方面。

首先，在整体叶盘中盘体的结构通常是锥型的，从而导致重量分布不均匀，通道较窄，可使用的模具类型十分有限，在加工的过程中还容易对叶盘产生损害。

第二，整体叶盘的叶片较薄，延展性大，但强度差，一旦受到外力作用容易发生形变甚至断裂的现象，并且抛光的程度难以控制，在抛光的过程中容易产生抛光过度的现象。

第三，由于整体叶盘的叶盘结构较为复杂，在数据计算的过程中容易产生误差，另外，抛光设备的使用、夹具的使用、机床的操作过程等都容易使数据发生偏差，从而导致最终的成品不符合加工要求。

第四，整体叶盘的排气口在两边，并且在横截面积上较小，在形状轮廓上也有较高的要求，在外力的作用下容易产生磨损或故障。

第五，在整体叶盘的抛光过程中主要采用的是球头刀，容易对叶片产生不均匀的抛光效果，在表面的平整光滑度上难以达到要求。

2.机床设计要求

为了保证整体叶盘的功能实现及加工质量，在抛光工艺上要做到良好的把控，并在保证加工质量的前提下，尽量提高加工的经济性。具体的设计要求有以下几点：

2.1多轴联动

整体叶盘结构中多曲面，在加工过程中采用多轴联动的方式可以提高加工效率。在数控技术的不断发展下，多轴联动的加工方式已经基本实现，对于部分部件的加工甚至能够达到五轴以上的联动。多轴联动的加工方式不仅能够提高材料的利用效率，还能减少刀具对材料的影响。

2.2高精度

整体叶盘的抛光对于精度的要求较高，为此首先应当保证数据计算的精确性，其次在加工设备的选择上也应尽量选择稳定性高、加工效率高的加工设备。当前我国的整体叶盘加工对于精度的要求已经达到了纳米级别，并通过机床的有效调控得以实现。要保证加工表面具有良好的表面一致性，形成均匀的抛光纹路，必须使切触点数量与加工表面外形很好地结合起来。

2.3自动化程度高

提高整体叶盘加工的自动化程度可以有效减少外部因素对加工效果的影响，此外还能有效提高加工的效率，降低加工成本，确保企业经济效益。

3.关键零部件设计

3.1直线导轨

直线导轨是整体叶盘中重要的部件，在一定程度上直线导轨的质量将直接决定数控机床的功能。当前，我国在整体叶盘加工中使用的直线导轨主要是滚柱式的直线导轨。这种直线导轨强度大、稳定性强、摩擦系数小、使用年限长，对于提高加工的精度和效率具有良好的效果。

3.2滚珠丝

滚珠丝的作用主要是将叶片的旋转运动转变为直线运动，因此滚珠丝是作为直线驱动设置在整体叶盘结构中的。滚珠丝可以提高数控机床的加工速率以及加工精度。选用传动效率高、定位精度高、传动可逆性、使用寿命长和同步性能好的内循环垫片预紧螺母式滚珠丝。

3.3柔性磨头

柔性磨头是实现叶盘表面抛光效果的关键环节。柔性磨头通常由四个气缸和四个传感器构成。通过柔性磨头的使用可以实现抛光磨具与工件间压力数据的采集、传送及调节。3个气缸通过气缸座安装于电主轴套上，用来调节径向的压力，轴向气缸安装于抛光机构的顶部，用来调节轴向的。

3.4刀位点数据生成

抛光轨迹主要是指刀具切触点的运行轨迹，要保证抛光纹路的均匀，就需要加工表面外形与使切触点数量吻合，避免出现欠切或过切现象，从而提高加工效率。刀位点数据主要是指刀心点的刀轴矢量及坐标。具体公式为：

rt=rP+Rn

式中rt表示刀心的点矢；rP表示加工表面点P的点矢；R表示刀具半径；n表示在P的处加工表面的法向矢量。

3.5切削行距的确定

在满足设定的残余高度下，合理的走刀行距应该是最大走刀行距，其与残余高度和刀具半径密切相关。由几何关系表示为：

1=2

式中：lh表示切削行距；k表示加工表面沿着切削方向的法曲率。

4.数控抛光机总体控制方案设计

整体叶盘与传统的叶盘相比薄度较大，能够承受的抛光力度较小，为控制叶盘的加工效果，必须制定良好的控制方案。整体叶盘机器人自动化抛光系统由关节型机器人、抛光刀具、机器人控制器、高精度伺服工作台、力传感器、工业PC机等组成。在整体叶盘的控制系统中应当包括中心的控制计算机、数控设备、数据传输设备等。通过这些设备的应用可以实现对柔性磨头的数字化控制，从而确保柔性磨头能够进行精确、规范的作业，此外这一控制系统的使用还实现了对加工效果的实时监控，操作人员能够根据加工的效果调整机器的运行和加工流程。

整体叶盘的外部造型也是控制的主要内容。在进行外部造成的加工前需要先通过计算机模拟叶片的截面曲线，在通过光顺处理和放样处理来确定加工的细节。内、外环实体的造型是先生成内、外环截面封闭曲线，再通过中心轴旋转扫描而成。

5.结语

实现抛光刀具轨迹的自动生成，构建整体叶盘自动化抛光系统，利用工业机器人进行整体叶盘的自动化抛光，可以克服手工打磨的不足，提高抛光效率，完善整体叶盘表面质量。抛光机器人的控制是一个复杂工程，现在处于摸索阶段，需要进一步完善，才能使本系统具有更强的控制能力。 [科]

【参考文献】

[1]刘随建，吴伟东.整体叶盘叶片光饰抛光试验及发展应用探析[J].航空制造技术，2010（05）：84-86.

[2]任军学，张定华，王增强等.整体叶盘数控加工技术研究[J].航空学报，2014（22）：205-208.

[3]王文理，王焱，王君等.航空发动机钛合金焊接式整体叶盘数控铣削工艺及编程技术[J].航空制造技术，2011（25）：100-102.

化学机械抛光技术范文第3篇

【关键词】微电子技术；发展历程；发展趋势

一、微电子技术概念分析

微电子学主要是对固体材料上微小型化电路、电路以及系统的电子学分支进行研究，对在固体材料中电子或者粒子运动的规律以及应用进行研究，并使信号处理功能得以实现，使电路的系统以及集成得以实现，具有较强的实用性。在现展中微电子技术是一种发展较快的技术，也是电子信息产业的心脏与基础。微电子技术的发展使航天航空技术得到很大的推动，除此之外，通讯技术、网络技术以及计算机技术都得到快速的发展。微电子技术的大力发展与广泛的应用，掀起了一波电子战、信息战。在我们国家的国民经济中，电子信息产业已成了支柱性的产业，微电子信息技术也受到高度的关注，具有非常重要的意义。现在，对一个国家科学技术的进步以及综合国力的衡量的重要标志就是微电子技术，微电子科学技术的快速发展以及产业的规模，也标志着一个国家的经济实力。在微电子技术中，其重要的核心就是集成电路，也是电子工业的粮食。集成电路具有超大的规模以及可集成的水平，可以把电子系统集成在一个芯片上。可以说微电子技术的发展与应用引来了全球第三次的工业革命。

二、微电子技术发展历程分析

微电子技术是一门新兴的技术，起源于十九世纪末，二十世纪初期，主要是随着集成电路而发展起来的，主要包括器件物理、系统电路设计、材料制务、工艺技术以及自动测试，除此之外，还有组装与封闭等一些专门的技术，也是微电子学中各个工艺技术的汇总。所以，微电子技术是通过电子电路以及系统的超小型化的过程一步步形成的，集成电路是其中的核心，也就是经过相应的加工工艺，把晶体管以及二极管等器件，根据相应的电路互换，再使用微细的加工工艺，在一块半导体的单晶片上进行集成，并在一个外壳内进行封闭，对特定的电路或系统功能进行执行。与传统电子技术比较，主要的特点是电路以及器件的微小型化。它把电路系统设计以及制造的工艺进行了有效的结合，并大规模的进行批量生产，所以，成本比较低，并且具有较高的可靠性。

微电子产业经历了六十多年的发展，技术已接近理论的极限。数十年以来，不断缩小集成电路内的晶体管的尺寸以及线宽，其中改进光刻技术是基本的方法，短波长的曝光光源是使用最多的。以前，紫外光是主要的光源，现在主要运用深紫外线光刻技术，芯片线宽下降了很多，从理论上来讲，主要是把集成电路的线宽进行相应的缩短。从二十世纪九十年代，摩托罗拉以及英特尔就开始对超紫外线光刻技术进行了研发，它突破了集成电路线宽的最小限制。但是，这种缩小的情况不能长久的持续下去，技术上以及物理上的限制也会对这种持续造成阻碍。晶体管的尺寸小到一定的范围，就必须对电子的量子效应进行考虑。那个时候，现有的技术已经达到了极限。不但如此，随着不断提高的集成度的集成电路，芯片的生产成本也在不断的提高。

三、微电子技术未来发展趋势分析

第一，关于光刻技术，利用波长的光线形成亚微米尺寸的图形，并做出集成度为1M位和4M位的DRAM。射线曝光设备研发出来以后，可以形成半微米尺寸以及深亚微米尺寸的图形。如今，使用准分子激光器的光刻设备已开始进行使用，有四分之一的微米尺寸的图形形成。波长较短的激光器的光刻设备的使用，在二十一世纪初期投入使用的机率是非常高的。为了这一目标得以实现，就要掩膜形成的技术以及光刻胶的材料进行开发。研制开发X射线光刻设备的工作，已进行了一段时间，无论是电子束曝光技术还是真空紫外线的曝光技术，也在全力的开发过程中，无论是哪一种技术都需要先投入实用，经过一段时间的验证会成为下一个阶段的主流技术。

第二，关于蚀刻技术，通过CER等离子源或具有高密度的等离子源，与具有特殊气体以及静电卡盘的技术进行有效的结合，就能使上述的电路蚀刻工艺的要求得到一定的满足。

第三，关于扩散氧化技术，要想通过低成本来使晶体的质量得到有效的保证，就要使用外延生长的技术，主要理由是同在晶体制作上努力，才能使质量得到保证，才能使花费的成本与质量相对等，与外延生长的技术成本相比较低了很多。离子注入的技术水平得到快速的提升，可把电子伏特的高能量离子输入晶体的内部，能达到几微米的深度。现在所用的气体扩散的方法，必须要在高温中进行长久的扩散杂质，才能有扩散层形成。但是现在离子注入技术的利用，可把杂质注入任意位置，经过低温热的处理之后，就能达到同样的效果。

第四，关于多层布线的技术，铜的电阻小于铝，但作为下一代的布线材料，深受人们的关注。美国的半导体工业协会在发展的规划中就把铜代替铝列入其中，并把相应的目标以及技术标准制定出来。铜布线主要使用镶嵌的方法进行制作，通过化学机械抛光的技术进行相应的研究，通过半导体级的电镀技术进行布线。铜很容易在绝缘膜中进行扩散，因此，在进行铜布线的时候，还要使用抛垒金属技术，能对铜的扩散起到很好的预防作用。

第五，有关电容器材料，随着不断提高的集成度，电容器的材料，也就是氧化膜的厚变也发生了变化，进入九十年代以后，氮化硅膜技术得到不断的改善，并对立体的电容器结构进行不断的改用，可以对所需的电容值起到保证作用。然而，此技术已接过极限，以后还有可能使用现在未使用的新的材料，例如氧化钽膜以及高电容率材料等。

四、结语

通过以上的论述可以总结，二十世纪的人类已进入了信息化发展的社会，对于微电子信息技术的要求也会越来越高，在二十一世纪，微电子技术也会是最具有活力，也是最重要的高科技领域之一，经过对微电子技术发展历程的分析，以及未来发展趋势的分析，可以看得出，微电子技术的快速发展一定会给社会的发展带来非常深刻的意义。

参考文献

[1] 毕克允.微电子技术[M].北京：国际工业出版社，2000.

化学机械抛光技术范文第4篇

一、研究目标与内容

专题一、先进制造

面向先进制造业，聚焦集成电路、数控装备、海洋工程与交通运输等领域，支持具有自主知识产权的关键技术和产业化技术的开发，实现相关产业核心技术的突破，提升自主创新能力和产业竞争力。

1、集成电路制造相关装备及材料关键技术研究

研究目标：围绕极大规模集成电路制造相关装备和材料开展关键技术研究，掌握具有自主知识产权的核心技术，形成工艺装备的研发应用能力和关键材料的批量生产能力，加快实现工艺装备和关键材料的国产化。

研究内容：150mm硅片光学薄膜测量设备的研制与应用技术；前段单晶圆清洗设备的设计制造及清洗成套工艺技术；纳米级精度定位的三轴平面电机的设计、制造、驱动控制技术及系统集成技术；基于SOI技术的高压器件成套技术和高压SOI晶片批量生产制备技术；年产千吨级的高纯有机化学试剂生产工艺技术；65纳米及以下ULSI用铜化学机械抛光液的中试生产工艺技术。

2、数字化装备产品设计制造关键技术研究

研究目标：围绕数控机床、纺织机械及高效压缩机等高端数字化装备产品的设计制造，开展旨在提高产品精度、效率和运行可靠性的关键技术研究，掌握具有自主知识产权的核心技术，提高数字化装备产品的市场竞争能力。

研究内容：基于实时工业以太网及现场总线的中高档数控系统和高性能数字化交流伺服驱动系统工程化开发技术研究，大型数控装备远程监控、网络化数据管理及大型复杂部件加工工艺研究；纺织产业用高性能喷气织机及高速卷绕机的设计制造关键技术研究；全封闭二氧化碳热泵压缩机的设计优化技术，压缩机泵体和驱动电机的匹配技术研究。

3、轨道交通运输装备关键技术研究

研究目标：为适应轨道交通的发展需求，开发城市轨道交通智能控制系统、车载控制信号系统和车辆关键配套部件，实现批量化生产,并在实际工程得到应用。

研究内容：基于CBTC的车载控制系统设计与应用技术研究、车载通信设备的软硬件研制和ATS系统设计与应用技术研究等；时速120公里的城市轨道交通B型车转向架设计及制造技术研究；时速300公里的高速列车座椅骨架设计与制造技术研究。

4、深水半潜式钻井平台关键建造技术研究

研究目标：为加快海洋资源的开发利用，围绕3000米深水半潜式钻井平台建造开展关键技术研究，掌握深水半潜式钻井平台的建造工艺和方法，形成自主建造深水半潜式平台的技术能力。

研究内容：大型深水半潜式平台的建造精度控制技术研究，高压管线焊接技术研究，噪音预报与减振降噪技术研究等。

专题二、先进材料

面向航空、电力、化工、生物医用等领域，开展民用飞机用材、高温超导、新型催化剂、绿色精细化工材料和骨科材料的研制，实现高新技术领域关键材料的技术突破和产业化应用，推动材料向高端、绿色、节能方向发展，支撑经济和社会的发展。

1、民用客机配套材料体系和工程化研究

研究目标：建立民用客机配套材料体系，制定工程化路线图，形成飞机设计、材料选择、零部件制造的产学研紧密合作机制;突破大直径TC4钛合金棒材制造和应用技术，满足飞机结构件设计和制造要求。

研究内容：研究民用客机配套材料体系和工程化方案，协助相关企业和研发机构开展材料适航性认证；瞄准φ220～400mm的TC4钛合金棒材的冶炼、铸造、锻造和热处理等工艺过程，开展材料成份、组织与性能及工程化应用研究和适航性试验研究。

2、高温超导电缆系统及电力应用示范工程设计研究

研究目标：研制可工程化应用的低温绝缘高温超导电缆系统，通过电气型式试验；完成电力应用示范工程设计方案的研究；掌握适用于示范工程的百米长第二代高温超导带材连续化制备技术。

研究内容：高温超导电缆导体、屏蔽、绝缘制造和连接技术的优化研究；电缆系统的型式试验、运行、监控和维护技术；高温超导电缆示范工程研究设计；第二代高温超导带材镀膜工艺研究。

3、新型催化剂工业应用技术研究

研究目标：掌握适合于北星双峰工艺聚乙烯催化剂的制备技术，形成连续、稳定批量制备的能力，在25万吨/年工艺装置上实现国产催化剂的工业化应用；研制节能效果显著的新一代甲苯歧化与烷基转移催化剂，实现在大型对二甲苯（PX）生产装置上的工业应用，单位产品节能10%、二甲苯产能增加5％以上。

研究内容：适合于北星双峰工艺聚乙烯生产的新型催化剂国产化和工业化应用研究，包括催化剂的放大制备、小试和中试装置上催化剂性能考评试验；25万吨/年工艺装置工业化试验研究；新型甲苯歧化催化剂工业放大与应用，包括催化剂制备工艺优化和试生产技术研究；全流程反应工艺模拟计算和优化研究；大型PX生产装置上的工业化试验。

4、高附加值绿色精细化工产品的产业化关键技术

研究目标：掌握汽车和皮革工业用无丙酮、无气味水分散型聚氨酯批量生产技术，建设中试生产线；掌握高质量、低成本烷基糖苷(APG)的成套生产工艺技术，建设年产万吨级“一步法”示范线；研制用于纤维板的绿色环保蛋白质改性胶粘剂，掌握50万吨/年低成本、无甲醛中密度纤维板的工业化生产成套技术。

研究内容：重点开发环保节能型聚氨酯中试技术，包括树脂制备、工艺优化，多品种浆料配方及专用设备的研制；日化用新型绿色表面活性剂APG产业化关键技术，包括催化剂制备与优化，专用生产装置的设计，精细过滤技术；纤维板的绿色环保蛋白质胶粘剂产业化关键技术，包括胶粘剂的耐水性研究，纤维板制造工艺研究。

5、全氟离子膜产业化关键技术

研究目标：建立中试规模的工业用全氟离子膜、全氟磺酸树脂、全氟羧酸树脂生产线；离子膜通过用户的应用考核。

研究内容：研究全氟磺酸树脂、全氟羧酸树脂合成路线、工程放大工艺；离子膜结构优化与制膜工艺；离子膜成套生产装备与工艺技术。

6、高性能陶瓷头全髋假体的临床应用与关键技术

研究目标：研制应用于临床的耐磨损陶瓷头全髋假体，掌握人工关节的低成本制备和加工技术，形成批量生产能力，取得临床试用许可。

研究内容：高质量氧化铝粉体的稳定制备技术，陶瓷股骨头成型、烧结和精密加工技术，陶瓷股骨头的型式试验和全髋关节的临床试验研究。

二、研究期限

*年9月30日前完成

三、申请条件

1、申报单位应具备较强技术实力和基础，具备实施项目研究必备条件。企业牵头项目应承诺不低于1：1的匹配资金。

2、申请项目必须有较好的前期研究基础，鼓励产学研联合申请，多家单位联合申请时，应在申请材料中明确各自承担的工作和职责，并附上合作协议或合同。

3、国内外合作项目必须有合作协议或授权协议，涉及许可研究、专利等，申报时需附许可研究批件复印件、有关知识产权批件复印件等。

4、所有附件要求上传到网上。

四、申请方式

1、本指南公开。凡符合课题制要求、有意承担研究任务的在*注册的法人、自然人均可以从“*科技”网站上进入“在线受理科研计划项目可行性方案”，并下载相关表格《*市科学技术委员会科研计划项目课题可行性方案（*版）》，按照要求认真填写。

2、课题责任人年龄不限，鼓励通过课题培养优秀的中青年学术骨干。课题责任人和主要科研人员，同期参与承担国家和地方科研项目数不得超过三项。

3、已申报今年市科委其它类别项目者应主动予以申明，未申明者按重复申报不予受理。

4、每一课题的申请人可以提出不超过2名的建议回避自己课题评审的同行专家名单（名单需随课题可行性方案一并提交）。

5、本课题申请起始日期为*年6月12日，截止日期为*年7月3日。课题申报时需提交书面可行性方案一式4份，并通过“*科技”网站在线递交电子文本1份。书面可行性方案集中受理时间为*年6月26日至7月3日，每个工作日上午9：00～下午4：30。所有书面文件请采用A4纸双面印刷，普通纸质材料作为封面，不采用胶圈、文件夹等带有突出棱边的装订方式。

6、网上填报备注：

（1）登陆“*科技”网），进入网上办事专栏；

（2）点击《科研计划项目课题可行性方案》受理并进入申报页面：

-【初次填写】转入申报指南页面，点击“专题名称”中相应的指南专题后开始申报项目（需要设置“项目名称”、“依托单位”、“登录密码”）；

-【继续填写】输入已申报的项目名称、依托单位、密码后继续该项目的填报。