半导体技术杂志 北大期刊 统计源期刊
主管单位：中国电子科技集团公司 主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
月刊 审稿周期：1-3个月 全年订价：￥316.00
《半导体技术》由赵小宁担任主编，创刊于1976年，由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本电子领域专业期刊。主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等，力求及时、准确、全面的反映该领域的政策、技术、应用市场及动态。
- 13-1109/TN 国内刊号
- 1003-353X 国际刊号
- 2255 发文量
- 0.34 影响因子
- 7023 总被引量
- 18-65 邮发代号
- 1976 创刊时间
半导体技术期刊信息
- 出版语言：中文
- 创刊时间：1976年
- 国际刊号：1003-353X
- 曾用名：半导体技术
- 纸张开本：A4
- 国内刊号：13-1109/TN
- 出版地区：河北
- 发行周期：月刊
- 邮发代号：18-65
半导体技术期刊荣誉
半导体技术投稿须知
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邮编：50051
主编：赵小宁
半导体技术发文选摘
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1、征稿通知 第13届国际专用集成电路会议
作者：--
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2、金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势
作者：赵金霞
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3、基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计
作者：杨赟秀; 袁菲; 路小龙; 景立; 邓世杰; 呙长冬; 宋海智; 张伟
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4、一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现
作者：居水荣; 谢亚伟; 王津飞; 朱樟明
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5、SiC MOSFET的短路特性
作者：高勇; 乔小可; 孟昭亮; 杨媛
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6、基于喷墨打印的In2O3/IGZO TFT的电学性能
作者：梁坤; 邵霜霜; 罗慢慢; 谢建军; 赵建文; 崔铮
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7、双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
作者：李晓; 张瑞英; 郭春扬; 赵岳
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8、基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模
作者：薛佳男; 刘逸哲; 高建军
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9、n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
作者：于波; 史金超; 李锋; 庞龙; 刘克铭; 于威
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10、图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响
作者：盛百城; 白欣娇; 唐兰香; 甘琨; 袁凤坡
半导体技术期刊评价分析
年发文量和被引次数
影响因子和立即指数
半导体技术期刊评价报告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 |
| 被引次数 | 532 | 571 | 633 | 562 | 608 | 578 | 621 | 688 | 659 | 659 |
| 影响因子 | 0.18 | 0.22 | 0.22 | 0.28 | 0.28 | 0.31 | 0.4 | 0.47 | 0.57 | 0.49 |
| 立即指数 | 0.04 | 0.03 | 0.08 | 0.06 | 0.1 | 0.11 | 0.1 | 0.09 | 0.13 | 0.06 |
| 发文量 | 192 | 181 | 170 | 176 | 162 | 151 | 161 | 150 | 152 | 150 |
| 被引半衰期 | 5.65 | 6.04 | 6.78 | 6.4 | 7.04 | 7.32 | 7.01 | 6.78 | 5.18 | 6.09 |
| 引用半衰期 | 4.57 | 5.19 | 5.38 | 5.91 | 4.43 | 4.89 | 3.86 | 4.93 | 4.75 | 4.62 |
| 期刊他引率 | 0.9 | 0.88 | 0.88 | 0.86 | 0.88 | 0.89 | 0.86 | 0.81 | 0.79 | 0.9 |
| 平均引文率 | 11.1 | 11.3 | 13.3 | 14.6 | 17.5 | 17.1 | 16.1 | 19.8 | 19.5 | 19 |
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