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固体电子学研究与进展杂志

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固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

主管单位：中国电子科技集团公司  主办单位：南京电子器件研究所

双月刊  审稿周期：1-3个月  全年订价：￥220.00

《固体电子学研究与进展》由杨乃彬担任主编，创刊于1981年，由中国电子科技集团公司主管、南京电子器件研究所主办的一本电子领域专业期刊。主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等，力求及时、准确、全面的反映该领域的政策、技术、应用市场及动态。

  • 32-1110/TN 国内刊号
  • 1000-3819 国际刊号
  • 1277 发文量
  • 0.29 影响因子
  • 2651 总被引量
  • 1981 创刊时间
期刊收录： 北大期刊(中国人文社会科学期刊)统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)知网收录(中)维普收录(中)万方收录(中)CA 化学文摘(美)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)国家图书馆馆藏上海图书馆馆藏
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固体电子学研究与进展期刊信息

  • 出版语言：中文
  • 创刊时间：1981年
  • 国际刊号：1000-3819
  • 主编：杨乃彬
  • 纸张开本：A4
  • 国内刊号：32-1110/TN
  • 出版地区：江苏
  • 发行周期：双月刊

固体电子学研究与进展期刊荣誉

固体电子学研究与进展投稿须知

1.本刊力倡引用正式出版物。中文文献题名应使用书名号。

2.投稿请注明作者姓名、单位、电话、邮编和详细通讯地址。

3.稿件请附3－6个能反映论文主题的中英文对照的关键词。

4.文责自负。依照《著作权法》的有关规定，编辑部保留对来稿作文字修改、删节的权利，不同意改动者务请注明。

5.“作者简介”置于首页脚注处；基金项目请在文章首页脚注处写明项目来源和课题编号。

固体电子学研究与进展编辑部联系方式

地址：南京1601信箱43分箱

邮编：210016

主编：杨乃彬

固体电子学研究与进展发文选摘

  • 1、X波段400 W GaN内匹配功率管

    作者：唐世军; 顾黎明; 陈韬; 彭劲松

  • 2、0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器

    作者：徐永刚; 杨兴; 钟世昌

  • 3、场板结构对AlGaN/GaN HEMT温度场的影响

    作者：邵宏月; 张明兰; 王影影

  • 4、短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型

    作者：常红; 王亚洲; 柯导明

  • 5、L波段载板式双平衡限幅低噪声放大器

    作者：李建平; 凌志健

  • 6、基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计

    作者：韦俞鸿; 黄冰; 孙晓玮; 张润曦; 张健

  • 7、基于径向贴片和U形槽的新型双陷波超宽带天线

    作者：师娅楠; 张斌珍; 段俊萍; 徐永庆; 徐洪成

  • 8、基于六角T型谐振器的小型化低通滤波器的设计

    作者：张友俊; 温殿芸

  • 9、射频功率放大器互连可靠性的神经网络建模研究

    作者：林倩

  • 10、星载微波固态大功率组件预防微放电效应工艺研究

    作者：刘炜; 王仁军; 陈梁; 洪希依; 庄绪德; 褚士震

固体电子学研究与进展期刊评价分析

年发文量和被引次数
影响因子和立即指数

固体电子学研究与进展期刊评价报告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
被引次数 193 190 224 239 244 260 248 207 261 265
影响因子 0.18 0.19 0.29 0.2 0.22 0.28 0.29 0.28 0.43 0.44
立即指数 0.02 0.01 0.02 0.02 0.05 0.04 0.01 0.07 0.09 0.07
发文量 122 120 118 105 88 85 87 85 85 90
被引半衰期 5.53 5 4.7 5.88 5.06 5.52 5.24 5.36 5.36 4.75
引用半衰期 4.4 4.92 4.26 5.04 5.39 5.42 5.65 5.35 5.17 4.98
期刊他引率 0.77 0.78 0.75 0.82 0.85 0.82 0.83 0.82 0.86 0.84
平均引文率 9.1 9.4 7.6 2.6 10 10.9 11.6 12.3 13.9 12.3

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