Journal Of Crystal Growth SCIE

国际简称：J CRYST GROWTH 参考译名：晶体生长杂志

主要研究方向：化学-晶体学非预警期刊审稿周期：约2.6个月约10周

《晶体生长杂志》(Journal Of Crystal Growth)是一本由Elsevier出版的以化学-晶体学为研究特色的国际期刊，发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章，及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现，旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊，近三年没有被列入预警名单。

4区中科院分区
Q3 JCR分区
306 年发文量
1.7 IF影响因子
未开放 是否OA
136 H-index
1967 创刊年份
Biweekly 出版周期
Multi-Language 出版语言

The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.

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Journal Of Crystal Growth期刊信息

ISSN：0022-0248
出版语言：Multi-Language
是否OA：未开放
E-ISSN：1873-5002
出版地区：NETHERLANDS
是否预警：否
出版商：Elsevier
出版周期：Biweekly
创刊时间：1967
开源占比：0.0379
Gold OA文章占比：16.22%
OA被引用占比：0.0202...
出版国人文章占比：0.24
出版撤稿占比：0
研究类文章占比：100.00%

Journal Of Crystal Growth CiteScore评价数据（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指数

3.6

0.379

0.768

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics	Q2	205 / 434	52%
大类：Physics and Astronomy 小类：Inorganic Chemistry	Q2	40 / 79	50%
大类：Physics and Astronomy 小类：Materials Chemistry	Q3	162 / 317	49%

名词解释：CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数，是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年（含计算年度）的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如，2022年的 CiteScore 计算方法为：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量注：文献类型包括：文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Journal Of Crystal Growth中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	材料科学	4区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	材料科学	3区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	材料科学	3区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	3区 3区 4区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理	4区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	材料科学	3区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	3区 3区 4区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	材料科学	3区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	3区 3区 4区

Journal Of Crystal Growth JCR评价数据（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	17 / 33	50%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	321 / 438	26.8%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	125 / 179	30.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	19 / 33	43.94%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	249 / 438	43.26%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	104 / 179	42.18%

Journal Of Crystal Growth历年数据统计

影响因子

中科院分区

Journal Of Crystal Growth中国学者发文选摘

1、Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 612, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127058
2、Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127029
3、Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 613, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127211
4、Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127035
5、Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127026
6、Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
7、Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127007
8、Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127046