Ieee Electron Device Letters SCIE

国际简称：IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名：IEEE 电子器件字母

主要研究方向：工程技术-工程：电子与电气非预警期刊审稿周期：约1.3个月

《IEEE 电子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技术-工程：电子与电气为研究特色的国际期刊，发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章，及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现，旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊，近三年没有被列入预警名单。该期刊享有很高的科学声誉，影响因子不断增加，发行量也同样高。

2区中科院分区
Q2 JCR分区
477 年发文量
4.1 IF影响因子
未开放 是否OA
135 H-index
1980 创刊年份
Monthly 出版周期
English 出版语言

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

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Ieee Electron Device Letters期刊信息

ISSN：0741-3106
出版语言：English
是否OA：未开放
E-ISSN：1558-0563
出版地区：UNITED STATES
是否预警：否
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
创刊时间：1980
开源占比：0.057
Gold OA文章占比：4.62%
OA被引用占比：0
出版国人文章占比：0.35
出版撤稿占比：0
研究类文章占比：100.00%

Ieee Electron Device Letters CiteScore评价数据（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指数

8.2

1.25

1.5

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

名词解释：CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数，是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年（含计算年度）的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如，2022年的 CiteScore 计算方法为：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量注：文献类型包括：文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Ieee Electron Device Letters中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

Ieee Electron Device Letters JCR评价数据（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

Ieee Electron Device Letters历年数据统计

影响因子

中科院分区

Ieee Electron Device Letters中国学者发文选摘

1、Development of a Cesium Vapor MEMS Cell for Differential Measurement of Microwave Electromagnetically Induced Transparency
Author: Zhu, Jingtong; Zhao, Rui; Li, Zhonghao; Hao, Desheng; Zu, Kaixuan; Shi, Yunbo; Tang, Jun; Liu, Jun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 132-135. DOI: 10.1109/LED.2022.3219922
2、Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes
Author: Zhang, Zhaohao; Zhang, Fan; Zhang, Yadong; Xu, Gaobo; Wu, Zhenhua; Zhang, Qingzhu; Li, Yongliang; Yin, Huaxiang; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 64-67. DOI: 10.1109/LED.2022.3223335
3、Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics
Author: Zhang, Tao; Wang, Xue; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhao, Xiaoli; Liu, Xiaoqian; Han, Xu; Tang, Qingxin; Liu, Yichun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 76-79. DOI: 10.1109/LED.2022.3221521
4、Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
Author: Yang, Huan; Zhou, Xiaoliang; Lu, Lei; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 68-71. DOI: 10.1109/LED.2022.3223080
5、An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps
Author: Wu, Yanlin; Wei, Jin; Wang, Maojun; Nuo, Muqin; Yang, Junjie; Lin, Wei; Zheng, Zheyang; Zhang, Li; Hua, Mengyuan; Yang, Xuelin; Hao, Yilong; Chen, Kevin J.; Shen, Bo

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 25-28. DOI: 10.1109/LED.2022.3222170
6、Excitation/Inhibition Balancing in 2D Synaptic Transistors With Minority-Carrier Charge Dynamics
Author: Wu, Rongqi; Liu, Xiaochi; Wang, Zhongwang; Jing, Yumei; Yuan, Yahua; Tang, Kui; Dai, Xianfu; Qiu, Aocheng; Jaiswal, Hemendra N.; Sun, Jia; Li, Huamin; Sun, Jian

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 156-159. DOI: 10.1109/LED.2022.3224471
7、2.69 kV/2.11 m Omega center dot cm(2) and Low Leakage p-GaN Stripe Array Gated Hybrid Anode Diodes With Low Turn-on Voltage
Author: Wei, Xing; Shen, Wenchao; Zhou, Xin; Tang, Wenbo; Ma, Yongjian; Chen, Tiwei; Wang, Dawei; Fu, Houqiang; Zhang, Xiaodong; Lin, Wenkui; Yu, Guohao; Cai, Yong; Zhang, Baoshun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 13-16. DOI: 10.1109/LED.2022.3220600
8、Low Temperature Cu-Cu Bonding Using an Intermediate Sacrificial Sn Layer
Author: Wang, Zilin; Shi, Yunfan; Wang, Zheyao

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 116-119. DOI: 10.1109/LED.2022.3221375