Ieee Journal Of Solid-state Circuits SCIE

国际简称：IEEE J SOLID-ST CIRC 参考译名：IEEE固态电路杂志

主要研究方向：工程技术-工程：电子与电气非预警期刊审稿周期：一般,3-6周

《IEEE固态电路杂志》(Ieee Journal Of Solid-state Circuits)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技术-工程：电子与电气为研究特色的国际期刊，发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章，及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现，旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊，近三年没有被列入预警名单。该期刊享有很高的科学声誉，影响因子不断增加，发行量也同样高。

1区中科院分区
Q1 JCR分区
304 年发文量
4.6 IF影响因子
未开放 是否OA
197 H-index
1966 创刊年份
Monthly 出版周期
English 出版语言

The IEEE Journal of Solid-State Circuits publishes papers each month in the broad area of solid-state circuits with particular emphasis on transistor-level design of integrated circuits. It also provides coverage of topics such as circuits modeling, technology, systems design, layout, and testing that relate directly to IC design. Integrated circuits and VLSI are of principal interest; material related to discrete circuit design is seldom published. Experimental verification is strongly encouraged.

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Ieee Journal Of Solid-state Circuits期刊信息

ISSN：0018-9200
出版语言：English
是否OA：未开放
E-ISSN：1558-173X
出版地区：UNITED STATES
是否预警：否
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
创刊时间：1966
开源占比：0.1379
Gold OA文章占比：13.89%
OA被引用占比：0
出版国人文章占比：0.1
出版撤稿占比：0
研究类文章占比：100.00%

Ieee Journal Of Solid-state Circuits CiteScore评价数据（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指数

2.876

2.612

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	78 / 797	90%

名词解释：CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数，是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年（含计算年度）的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如，2022年的 CiteScore 计算方法为：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量注：文献类型包括：文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Ieee Journal Of Solid-state Circuits中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
是	否	工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
是	否	工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
是	否	工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
是	否	工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
是	否	工程技术	1区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	1区

Ieee Journal Of Solid-state Circuits JCR评价数据（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	74 / 352	79.1%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	66 / 354	81.5%

Ieee Journal Of Solid-state Circuits历年数据统计

影响因子

中科院分区

Ieee Journal Of Solid-state Circuits中国学者发文选摘

1、Configurable Hybrid Energy Synchronous Extraction Interface With Serial Stack Resonance for Multi-Source Energy Harvesting
Author: Wang, Xiudeng; Xia, Yinshui; Zhu, Zhangming; Shi, Ge; Xia, Huakang; Ye, Yidie; Chen, Zhidong; Qian, Libo; Liu, Lianxi

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 451-461. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3182118
2、A D-Band Joint Radar-Communication CMOS Transceiver
Author: Deng, Wei; Chen, Zipeng; Jia, Haikun; Guan, Pingda; Ma, Taikun; Yan, Angxiao; Sun, Shiyan; Huang, Xiangrong; Chen, Guopei; Ma, Ruichang; Dong, Shengnan; Duan, Luqiang; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 411-427. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185160
3、A 60-MS/s 5-MHz BW Noise-Shaping SAR ADC With Integrated Input Buffer Achieving 84.2-dB SNDR and 97.3-dB SFDR Using Dynamic Level-Shifting and ISI-Error Correction
Author: Guo, Yuekang; Jin, Jing; Liu, Xiaoming; Zhou, Jianjun

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 474-485. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3185501
4、A 211-to-263-GHz Dual-LC-Tank-Based Broadband Power Amplifier With 14.7-dBm P-SAT and 16.4-dB Peak Gain in 130-nm SiGe BiCMOS
Author: Yu, Jiayang; Chen, Jixin; Zhou, Peigen; Li, Huanbo; Wang, Zuojun; Li, Zekun; Chen, Zhe; Yan, Pinpin; Hou, Debin; Gao, Hao; Hong, Wei

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 332-344. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192043
5、A CMOS Wideband Watt-Level 4096-QAM Digital Power Amplifier Using Reconfigurable Power-Combining Transformer
Author: Yang, Bingzheng; Qian, Huizhen Jenny; Wang, Tianyi; Luo, Xun

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 357-370. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3191975
6、A Fully-Integrated Wideband Digital Polar Transmitter With 11-bit Digital-to-Phase Converter in 40nm CMOS
Author: Hu, Chunxiao; Yin, Yun; Li, Tong; Liu, Yangzi; Xiong, Liang; Xu, Hongtao

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 462-473. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3192281
7、A 389 TOPS/W, Always ON Region Proposal Integrated Circuit Using In-Memory Computing in 65 nm CMOS
Author: Bose, Sumon Kumar; Basu, Arindam

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 554-568. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3194098
8、A Low-Phase-Noise Quad-Core Millimeter-Wave Fundamental VCO Using Circular Triple-Coupled Transformer in 65-nm CMOS
Author: Jia, Haikun; Guan, Pingda; Deng, Wei; Wang, Zhihua; Chi, Baoyong

Journal: IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 2023; Vol. 58, Issue 2, pp. 371-385. DOI: 10.1109/JSSC.2022.3196181