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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

国际简称:IEEE T DEVICE MAT RE  参考译名:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

主要研究方向:工程技术-工程:电子与电气  非预警期刊  审稿周期: 较慢,6-12周

《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技术-工程:电子与电气为研究特色的国际期刊,发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章,及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现,旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊,近三年没有被列入预警名单。

  • 3区 中科院分区
  • Q2 JCR分区
  • 72 年发文量
  • 2.5 IF影响因子
  • 未开放 是否OA
  • 63 H-index
  • 2001 创刊年份
  • Quarterly 出版周期
  • English 出版语言

The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊信息

  • ISSN:1530-4388
  • 出版语言:English
  • 是否OA:未开放
  • E-ISSN:1558-2574
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 是否预警:
  • 出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
  • 出版周期:Quarterly
  • 创刊时间:2001
  • 开源占比:0.057
  • Gold OA文章占比:24.52%
  • OA被引用占比:0
  • 出版国人文章占比:0.14
  • 出版撤稿占比:0
  • 研究类文章占比:97.22%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability CiteScore评价数据(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指数
4.8 0.436 1.148
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

名词解释:CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数,是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年(含计算年度)的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如,2022年的 CiteScore 计算方法为:2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量 注:文献类型包括:文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区 4区

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability JCR评价数据(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability历年数据统计

影响因子
中科院分区

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability中国学者发文选摘

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability同类期刊

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