Semiconductor Science And Technology SCIE

国际简称：SEMICOND SCI TECH 参考译名：半导体科技

主要研究方向：工程技术-材料科学：综合非预警期刊审稿周期：一般,3-6周

《半导体科技》(Semiconductor Science And Technology)是一本由IOP Publishing Ltd.出版的以工程技术-材料科学：综合为研究特色的国际期刊，发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章，及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现，旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊，近三年没有被列入预警名单。

4区中科院分区
Q3 JCR分区
193 年发文量
1.9 IF影响因子
未开放 是否OA
99 H-index
1986 创刊年份
Monthly 出版周期
English 出版语言

Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

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Semiconductor Science And Technology期刊信息

ISSN：0268-1242
出版语言：English
是否OA：未开放
E-ISSN：1361-6641
出版地区：ENGLAND
是否预警：否
出版商：IOP Publishing Ltd.
出版周期：Monthly
创刊时间：1986
开源占比：0.0715
Gold OA文章占比：10.23%
OA被引用占比：0.0493...
出版国人文章占比：0.19
出版撤稿占比：0
研究类文章占比：95.85%

Semiconductor Science And Technology CiteScore评价数据（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指数

4.3

0.411

0.741

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	305 / 797	61%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q2	167 / 434	61%
大类：Engineering 小类：Materials Chemistry	Q2	137 / 317	56%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	126 / 284	55%

名词解释：CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数，是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年（含计算年度）的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如，2022年的 CiteScore 计算方法为：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量注：文献类型包括：文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Semiconductor Science And Technology中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	工程技术	3区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合	3区 4区 4区

Semiconductor Science And Technology JCR评价数据（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	211 / 352	40.2%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	301 / 438	31.4%
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	50 / 79	37.3%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	238 / 354	32.91%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	293 / 438	33.22%
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	51 / 79	36.08%

Semiconductor Science And Technology历年数据统计

影响因子

中科院分区

Semiconductor Science And Technology中国学者发文选摘

1、Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg
Author: Wang, Mao; Shaikh, M. S.; Kentsch, U.; Heller, R.; Zhou, Shengqiang

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3ca
2、Emission and capture characteristics of electron trap (E-emi=0.8 eV) in Si-doped beta-Ga2O3 epilayer
Author: Qu, Haolan; Chen, Jiaxiang; Zhang, Yu; Sui, Jin; Gu, Yitian; Deng, Yuxin; Su, Danni; Zhang, Ruohan; Lu, Xing; Zou, Xinbo

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca045
3、Straightforward synthesis and mechanism insight of TiO2/a'-AgVO3 heterostructure with enhanced photocatalytic activity
Author: Liu, Yangbin; Liu, Nian; Lin, Minghua; Zhou, Yun; Ouyang, Xiaoping

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca625
4、The interplay of process parameters and influence on the AlN films on sapphire fabricated by DC magnetron sputtering and annealing
Author: Liu, Huan; Guo, Wei

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca8ca
5、Low-temperature in situ deposited CuI-based hole-transporter for perovskite solar cells efficiency enhancement
Author: Li, Hang; Fu, Chao; Shi, Lei; Li, Chaorong; Pan, Jiaqi; Zhang, Wenjun

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3c9
6、Design of the GaN based CAVET with SiO2-InGaN hybrid current blocking layer
Author: Li, Haiou; Kang, Dongxu; Qu, Kangchun; Liu, Xingpeng; Wan, Rongqiao

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca626
7、In-situ deposition of tungsten oxide hole-contact by Hot-Wire CVD and its application in dopant-free heterojunction solar cells
Author: Guo, Cong; Li, Junjun; Liu, Run; Zhang, Dongdong; Qiu, Junyang; Zhuang, Zihan; Chen, Yang; Qiu, Qingqing; Liu, Wenzhu; Huang, Yuelong; Yu, Jian; Chen, Tao

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca5ac
8、Investigation of thermal stability and crystallization mechanism of Er-0.03(GeTe)(0.97) phase change material
Author: Gu, Han; Wu, Weihua; Xu, Shengqing; Zhou, Xiaochen; Shen, Bo; Zhai, Jiwei

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca520