Solid-state Electronics SCIE

国际简称：SOLID STATE ELECTRON 参考译名：固态电子

主要研究方向：物理-工程：电子与电气非预警期刊审稿周期：一般,3-6周约9.2周

《固态电子》(Solid-state Electronics)是一本由Elsevier Ltd出版的以物理-工程：电子与电气为研究特色的国际期刊，发表该领域相关的原创研究文章、评论文章和综述文章，及时报道该领域相关理论、实践和应用学科的最新发现，旨在促进该学科领域科学信息的快速交流。该期刊是一本未开放期刊，近三年没有被列入预警名单。

4区中科院分区
Q3 JCR分区
175 年发文量
1.4 IF影响因子
未开放 是否OA
87 H-index
1960 创刊年份
Monthly 出版周期
English 出版语言

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

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Solid-state Electronics期刊信息

ISSN：0038-1101
出版语言：English
是否OA：未开放
E-ISSN：1879-2405
出版地区：UNITED STATES
是否预警：否
出版商：Elsevier Ltd
出版周期：Monthly
创刊时间：1960
开源占比：0.0803
Gold OA文章占比：18.40%
OA被引用占比：0.0126...
出版国人文章占比：0.16
出版撤稿占比：0
研究类文章占比：99.43%

Solid-state Electronics CiteScore评价数据（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指数

0.348

0.655

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q3	419 / 797	47%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q3	245 / 434	43%
大类：Engineering 小类：Materials Chemistry	Q3	182 / 317	42%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	169 / 284	40%

名词解释：CiteScore 是衡量期刊所发表文献的平均受引用次数，是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年（含计算年度）的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数。例如，2022年的 CiteScore 计算方法为：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的对2019-2022年发表的文件的引用数量÷2019-2022年发布的文献数量注：文献类型包括：文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文。

Solid-state Electronics中科院评价数据

中科院 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理与天体物理	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理与天体物理	3区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院 2021年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理与天体物理	3区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院 2021年12月基础版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

中科院 2021年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理与天体物理	3区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	3区 4区 4区

中科院 2020年12月旧的升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科		小类学科
否	否	物理与天体物理	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理	4区 4区 4区

Solid-state Electronics JCR评价数据（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	259 / 352	26.6%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	138 / 179	23.2%
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	61 / 79	23.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	261 / 354	26.41%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	133 / 179	25.98%
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	54 / 79	32.28%

Solid-state Electronics历年数据统计

影响因子

中科院分区

Solid-state Electronics中国学者发文选摘

1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device
Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504
2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications
Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495
3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation
Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503
4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process
Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486
5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs
Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494
6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics
Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029
7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment
Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067
8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance
Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024